就新一代的锂电池来说，其正极材料或负极材料之所以在生产时要添加适量的过渡金属纳米WO3粉末来作为重要改性剂的原因是，该氧化钨粉末是一种低维度的材料，具有适中的禁带宽度和较强的储荷能力，能在很大程度上提高储能设备的电化学性能。小型暖手宝若能选择含有纳米氧化钨材料的锂电池作为备用电源的话，那将能使它实现体积更小、重量更轻、容量更大的目标。

众所周知，新一代的电子芯片将引领电子市场的变革。作为第二代和第三代半导体的主要代表，GaAs（砷化镓）和GaN（氮化镓）都属于化合物半导体材料，均因为具有较好的耐高温、高压、高频以及高电流密度性能的优势，在卫星、高铁、雷达、发电、输变电、照明等领域中有着重要的地位。那GaAs与GaN芯片有什么不同之处？

为了升高暖手宝的耐使用性能，有制造商表示其应选用质量较高的化学电池来作为备用电源。近几年，随着科学技术的不断发展，市面上的新型电池也越来越多了，如钨基电池、钼基电池、硅基电池等。接下来，我们主要介绍的以氧化钨粉末为锂电池负极材料的蓄电池。

氮化镓（GaN）是一种宽带隙化合物半导体材料（禁带宽度为3.4eV），具有发射蓝光、高温、高频、高压、大功率和耐酸、耐碱、耐腐蚀等特点，是继锗、硅和砷化镓之后最主要的半导体材料之一，常用来制作发光二极管。氮化镓基发光二极管在光学存储、激光打印、高亮度发光二极管以及无线基站等应用领域具有明显的竞争优势。