半导体芯片用高纯钨靶材

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高纯钨靶材是典型过渡金属钨的一种化工产品,其因纯度高(大于99.95%),密度大(19.35g/cm3),蒸气压低,蒸发速度小,耐高温性能好等特点,常用来生产厚度超小的氧化钨薄膜。就目前火热的半导体芯片来说,新型氧化钨薄膜能很好的作为它的扩散阻挡层、粘结层和大型集成电路存储器电极等,进而能显著升高芯片产品的综合质量。

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什么是软包锂电池?

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目前,按照电池的封装方式和形状,可以分为方形、圆柱、软包等形式。软包锂电池的基本结构与圆柱和方形是类似的,只是软包锂电池是液态锂离子电池套上一层聚合物外壳,在结构上采用铝塑膜包装,是起到保护内部电芯材料的作用。

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三氧化钨半导体薄膜的制备

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当前,制备三氧化钨半导体薄膜的方法有多种,比如粉末涂覆法、水热合成法、溶胶凝胶法。粉末涂覆法虽然简单,但是容易导致薄膜厚度不均匀,每次涂刮的厚度较厚,干燥时应力集中,容易产生裂纹;水热合成法虽然制备样品纯度高,但是制备过程复杂,成本较高,不能广泛应用;溶胶凝胶法制备的薄膜结构致密,但是比表面积较小。因此,为了弥补现有生产方法的不足,科学家们设计出了一种三氧化钨半导体薄膜新的制备方法。

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一种钨青铜结构材料的生产方法

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钨青铜及类钨青铜结构中存在大量的信道,能为锂离子的储存提供了足够的空间;而过渡金属元素的存在也提供了大量的氧化还原反应的转移电子数,使得此类材料具有较高的理论容量,适合作为锂离子电池负极材料。接下来,本文将为大家提供的是一种具有多通道的Mo5O14型四方钨青铜结构材料新的生产方法。其具体步骤如下:

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钨丝网会与空气反应吗?

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钨丝网是一种纯钨丝产品,其具有熔点高,硬度大,强度高,电阻率大,蒸气压低,蒸发速度小,耐高温性能良好(能承受3400度的高温),耐冲击性能优异的特点, 因而广泛应用于各种机械设备中,如作为电磁屏蔽网、真空炉热处理格栅、RF电磁屏蔽、光波过滤等。那么,钨丝网会与空气反应吗?

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