影响三氧化钨光电转换的因素

三氧化钨是一种黄色粉末,不溶于水,微溶于酸,溶于碱液,可由钨矿与纯碱共熔后加酸而制得。主要用于煅烧还原生产钨粉和碳化钨粉,进而用于生产硬质合金产品,如刀具和模具的制造,也可用于制造纯钨制品、钨条、钨丝,钨电极;和用途配重和辐射的屏蔽材料。同时三氧化钨是一种功能材料,具有光致变色、电致变色以及气致变色等特性,可作为气敏材料、光催化剂等,本文主要分析影响三氧化钨光电转换的主要因素。

半导体光电转换示意图

 
三氧化钨(半导体材料)的光电转换过程,光照射到半导体材料上,价带电子会吸收光子的能量,只有当价带电子吸收的光子能量足够大,大到满足电子跃迁跃迁到导带上,最终光生电子-空穴分离,驱动反应的进行。光生电子-空穴分离后,空穴在材料的表面的氧化位点,对有机污染物进行氧化降解,然而电子到跃迁到导带后会迁移到还原点会重新迁移到外电路而形成电流或者在还原点实现光解水制取氢气。
 
三氧化钨材料的光电转化过程主要分为三部分:电子吸收光能量、电子吸收光能量发生跃迁与空穴分离以及电子传输到外电路中。经过分析影响三氧化钨光电转化性能的主要因素有:光阳极制备的过程;纳米结构材料的结晶性与维度;纳米结构薄膜的形貌;光电子与空穴的复合和分离;光电子的传输及三氧化钨表面缺陷等。
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