石墨烯-氧化钨复合薄膜的光电性质。随着石墨烯（RGO）量的添加，复合膜的光电流密度先提升到一定数值后呈现下滑趋势，说明石墨烯（RGO）的复合在一定范围内能使氧化钨(WO3)的光电转换能力随着RGO的含量增加而提升，当含量为某一值时，光电转换能力最佳。光电性能达到最佳值后又会随着RGO含量下降的主要因素为：在低含量的范围内向半导体添加RGO，因为RGO的优良导电性提高了光生电子的快速传递；当RGO的含量过大时，由于RGO吸收了大部分的光，从而降低了WO3对光的有效吸收，影响薄膜整体光电转化能力。测试RGO含量对石墨烯-氧化钨复合膜电化学阻抗的影响，得出的与光电流密度类似的结果，随着石墨烯（RGO）量的添加，复合膜的阻抗先减小后增大。

 

本文以偏钨酸铵为钨源、聚乙烯吡咯烷酮作为链接剂，氧化石墨烯（GO）作为前驱体溶液制备石墨烯-氧化钨复合膜，并以氧化石墨烯（GO）含量作为变量，得出如下结论。在一定范围内，具有较高GO含量的前驱体更有利于提高复合膜的光电转化能力。通过瞬态光电流法的研究表明，在相同的电极电位下，复合膜的瞬态时间常数大于纯氧化钨薄膜，说明与石墨烯复合后薄膜电子空穴对的寿命延长，而且复合石墨烯后薄膜的电子传输时间缩短了，为原来的47.5%，复合石墨烯能大大提高氧化钨薄膜的光电转换性能。