石墨烯被称为“黑金”是目前被发现的最薄、强度最大、导热导电性能最强的新型纳米材料，是“新材料之王”， 甚至有科学家预言石墨烯将会“彻底改变21世纪”。非常有可能会掀起一场席卷全球，颠覆性的新技术革命。

 

太阳能是可再生能源，利用太阳能来将空气中的水分离为氢气和氧气，并以氢气作为一种新能源是有望解决目前能源匮乏以及环境问题，因此受到人们的广泛关注。在半导体中，能作为光催化制氢的材料，且具有性能稳定及低廉的成本特点的氧化钨成为了热门的研究材料。但是氧化钨（WO3）本身光生电子-空穴容易复合，限制了其光电性能，因此为了提高其光电转化性能常用的方式有半导体复合、表面敏化、贵金属沉积、离子掺杂等。将还原氧化石墨烯（RGO）作为电子的传递介质能提高半导体材料中的光电子迁移速率，大大降低光生电子-空穴复合的几率，提高半导体材料光电转化的效率。本文选择以氧化石墨烯（GO）作为制备石墨烯的前驱体，采用提拉法制备石墨烯与氧化钨制备复合膜并对其进行热处理，探究石墨烯是否能提高氧化钨光电转化性能。

 

石墨烯-氧化钨复合薄膜物相和形貌表征。提拉法制备的复合膜结构比较平滑，存在裂纹以及空隙，热处理之后，薄膜呈现多孔形态。复合RGO后会限制WO3纳米颗粒的生长，使其结晶度受到一定的影响，颗粒尺寸变小，同时孔间隙率也降低，整体而言薄膜较为致密。在微观状态下石墨烯与氧化钨时互相接触，WO3分布在RGO表面或者被RGO表面包裹。