氧化钨传感器金属活化

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在氧化钨传感器中加入金属元素可以显著改善其传感器响应特性,降低传感器工作温度。铁、钛等金属催化剂可以增加氧化钨传感器的表面反应位点,而银、铂等贵金属元素催化剂不仅可以提供表面活动位点,而且可以通过掺杂改变氧化钨传感器导带电子浓度,进而改善氧化钨传感器特性。

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氧化钨传感器气敏性能

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通过水热合成制备含铅的氧化钨传感器,将工作温度降低到室温。水热合成的氧化钨气敏材料,相较于以机械混合法制备氧化钨气敏材料以及纯氧化钨气敏材料,具有更好的气敏性能。铅的加入有效改变了传感器的响应特性,在室温下对氢气的灵敏度为34,响应时间为24s。并且具有很好的选择性和重复性。

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氧化钨陶瓷EDS图谱

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氧化钨陶瓷压敏电阻在加载电压的作用下,其漏电流随时间是一个减小的过程。这说明氧化钨压敏电阻的晶界势垒模型与氧化锌等传统压敏电阻不同。

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氧化钨静电纺丝法

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静电纺丝法就是氧化钨高分子流体静电雾化的特殊形式。此时雾化分裂出的氧化钨不是微小液滴,而是聚合物微小射流,可以运行相当长的距离,最终固化成氧化钨纤维。

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紫外光对氧化钨气敏性能的影响

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近年来,研究者们发现紫外光和可见光可为氧化钨气敏材料的表面化学反应提供能量,从而加快化学反应速率,进而改善其气敏性能。研究发现,紫外光影响氧化钨气气敏性能主要通过两个方面:

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