纳米氧化钨的电致变色是一种电子注入效应。氧离子在纳米氧化钨中具有导电作用。当靠近负电极的一个氧离子离开原来的位置，相应的钨离子变成高活性的离子。

使氧化钨作为低压电容－压敏电阻材料在实际中应用，必须解决好其电学稳定性的问题。以前的研究工作表明,三氧化钨的电学性能是不稳定的，高电场情形时存在严重的电学退化问题，恒电压下电流随时间衰减，有严重的滞后现象,妨碍了其作为压敏电阻材料在实际中的应用。

镝，镧掺杂的氧化钨陶瓷都具有相当高的介电常数。一般认为，在这些氧化物陶瓷的晶粒与晶粒间存在高阻态的绝缘层，即形成所谓的晶界层势垒电容器，因此具有高的介电常数。镝掺杂的氧化钨中，晶粒－晶粒间存在势垒，因此氧化钨的介电常数也可以用晶界层势垒电容器模型来解释。但对于镧高含量掺杂的样品，晶界电阻小，势垒消失，但同样具有几乎一样高的介电常数。这显然不能用晶界层势垒电容器模型来解释。

由于金刚石的优良性能，可将氧化钨沉积生长在p型金刚石的衬底上。能够得到pn型异质结，深入地研究了其电学性能和光催化性能。这一方向具有重要的价值和意义，已经成为了国际上的一个研究热点。