热力学分析在EFG蓝宝石生长过程中形成的气体
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- 发布于 2013年12月02日 星期一 10:46
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由馈送生长（EFG ）方法的边缘定义的膜得到的成型蓝宝石晶体几乎总是包含一个典型的缺陷，即所谓的“空隙” ，
从而影响晶体的光学质量。被困空隙的起源尚未阐明。一种假说是涉及在晶体生长室中设置气体形成。本文的目标是研究从晶体生长装置中的不同组件，如电荷（ Al2O3）的，将坩埚和整形器材料（ Mo或W）和屏幕之间进行各种化学反应产生的气体的种类和石墨（C ）其他细节作出。
为了获得气体物种的分压在生长室中的热力学计算被用复均衡码Gemini2-，最大限度地减少自由焓的形成进行。一氧化碳（CO ）成为最重要的气体种类，当生长安装组件中的一个由石墨制成。各种气体物质从不同的反应得到的是在生长过程中捕获于晶体中，并影响晶体的质量。为了消除晶体的污染，这种类型的计算应该对一个更好的选择的坩埚中，整形器和其他组镜头细节材料是有利可图的。
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当前状态蓝宝石科技为窗口和圆顶应用
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- 发布于 2013年12月02日 星期一 10:12
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蓝宝石的特性，使其成为未来高速导弹应用相对于其他现有或新兴材料的理想选择。从蓝宝石晶棒的高造价，低材
料利用率导致蓝宝石圆顶成本高。显著的改善已经由不断增长的蓝宝石晶体带方向和轮廓切割。一个更可取的方法是直接从熔体产生近净形蓝宝石空白。产生无裂缝附近的坯料与从熔体中取向的内外曲率控制网状的可行性已用换热器的方法（ HEM ）得到证实。
半导体上生长的取向的硅和上（11 ¯ 02 ）-蓝宝石基板是由X-射线衍射，利用诺马斯基光学显微镜，应力和表面粗糙度的测量研究了β - FeSi2的薄膜。为放热反应，成核控制反应的结果，我们观察到硅化物的特征环形表面图案。在β - FeSi2的表面粗糙度和应力都明显少为在较低的温度和冷却速率生长的薄膜。蓝宝石衬底，由于蓝宝石的热膨胀系数与硅化物的匹配导致表面比硅更顺畅。
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在蓝宝石上排列的氧化锌纳米线阵列和GaN层的图案增长
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- 发布于 2013年11月29日 星期五 09:37
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关于蓝宝石和GaN外延层的微米和纳米尺度垂直排列的氧化锌纳米线阵列的图案化生长报告，为了控制氧化锌纳米线的
位置和分布密度，金种子纳米点的定义，为规则排列，与沉积荫罩的协助。电子显微照片表明，该导线是具有丝轴沿六边形的c-轴的单晶。在蓝宝石和GaN薄膜在Si衬底上的ZnO纳米线的外延生长由横截面电子显微镜研究进一步验证。相比于蓝宝石的情况下，在Si衬底上的GaN膜的完美外延生长被认为是更适合于氧化锌纳米线阵列的电势的电子装置的应用程序。
射频炉设备和控制设备，适合用于生长单晶的耐火氧化物，如氧化铝，通过Czochralski技术进行说明，并用此设备生长的蓝宝石球剁例子示。氧化钍采用在整个炉。氧化钍有较低的热容量和较高的电阻率在该工作温度比任何其他难熔氧化物。这使铱坩埚基座在温度接近其熔点时使用。
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蓝宝石Czochralski晶体生长期间不同阶段传输过程对RF线圈位置的影响
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- 发布于 2013年11月29日 星期五 10:05
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蓝宝石晶体生长过程中的各个阶段上热感应加热直拉晶体生长炉中的RF线圈位置影响，并流传输时晶体 - 熔体界面
的形状的形状，并且功率要求的数值研究。结果表明，虽然温度和速度下降的最大值，晶体熔融接口随着晶体长度的凸性增长。它被发现时所需的最小输入功率如果RF线圈的中心位置是在晶体生长过程中保持在低于熔体的中心的位置。在这样的晶体生长条件下，温度梯度沿结晶前小。
蓝宝石薄膜，一般为10微米厚，使用脉冲激光沉积从一个不掺杂钛蓝宝石衬底：蓝宝石单晶目标为0.1 ％（重量）氧化钛的掺杂水平。这些薄膜都显示利用离子束沟道和X-射线衍射技术具有非常高的晶体品质。钛掺入薄膜的程度使用电感耦合等离子体质谱法和粒子诱发X射线发射的影响。这些技术表明，高达0.08重量％氧化钛的水平存在于沉积层。
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现代潮流的晶体生长和蓝宝石的新应用
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- 发布于 2013年11月28日 星期四 09:44
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我们提供的蓝宝石晶体生长与蓝宝石晶片作为LED基板的应用程序的最新市场趋势和现代竞争的方法的概述。几乎
高温生长从熔体的所有方法适用于生产的蓝宝石，但每一种方法都有其优点和缺点，这取决于应用程序和所需的最终产品的外形尺寸。特别注意的缺陷和不完善之处，允许基于蓝宝石新的有源器件的工程审查。
内部加热的压力容器被用来研究GaN组成在温度高于900 ℃，并在系统中Ga的N2相平衡的分解反应。由于这些研究的结果，我们通过一个VLS进程中开展的氮化镓晶体的自由和外延层的晶体生长在蓝宝石上。我们已经成功地在高品质的外延层示出了台面结构典型LPE的合成。作为生长条件的函数n和p型氮化镓得到，后者仅在多晶形式。
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