灰霾通过SAPMAC法生长及退火空洞形成蓝宝石晶体

 
 

在SAPMAC法生长的蓝宝石水晶阴霾缺损进行了详细研究。它表明,雾度是由大量的二氧化碳气泡组成,并且雾度蓝宝石晶体总是出现在晶体的轴线区域,因为形成在结晶表面的前部的气泡被最经常到对流辊中的中央部的前方通过熔融的蓝宝石晶体表面和然后由轧辊吞噬。此外,对灰霾的形成拉动率的影响进行了分析和手段约束阴霾建议。

蓝宝石晶体从熔体由斯捷潘诺夫( EFG)法生长。 (1)良好的方位的空隙它们的结果是:在还原气氛中,通过采用在结晶室的加热器单元石墨元件,导致了两种不同类型的孔洞的形成进行生长的晶体的高温真空退火空缺凝血和(2)孔不规则形式装点亚晶界。这些缺陷的形成可以通过抑制氧化铝的熔融和碳之间的相互作用来防止。


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使用一个解决方案 - 沉淀法在蓝宝石表面镁铝尖晶石微晶增长

 
 

溶液沉淀过程,用来种植镁铝尖晶石的微晶在c轴蓝宝石单晶表面腐蚀坑。在建议的创新成长的过程中,腐蚀坑作为蓝宝石晶体异质形核点。在淬火和时效处理使Mg离子扩散到蓝宝石晶体,沉淀成微晶在蚀刻坑。我们发现沉淀的晶体是镁铝尖晶石具有三角棱锥形。

光抽运固体激光器的最广泛使用的有源元件是无机氧化物的晶体。这种氧化物材料无论是石榴石或刚玉结构是由被称为直拉晶体生长提拉技术制备的产业规模。在直拉法生长的国家的最先进的是一起参与的大尺寸,高品质的氧化物晶体生长的关键变量描述了本说明。红宝石,钇铝石榴石,和钛的蓝宝石晶体生长的描述中提出。组合物,环境气氛下进行,晶体生长的变量,并且对个别晶体类型的环境条件的影响进行说明。对于不同的氧化物的晶体生长的切克劳斯基工艺的适用性,重点是材料性质,例如相图含义(熔化的一致性),熔融温度,坩埚材料,掺杂离子的影响,以及高温熔体化学讨论。


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在蓝宝石单晶形成泡沫

 
 

蓝宝石单晶生长通过在冷却中心微拉和肩部(SAP-MAC)技术和气泡,观察到在作为生长的晶体的主要缺陷之一。蓝宝石单晶基于生长参数,气泡的形成机理的晶体生长kinetics.It的观点进行了讨论表明,有效地优化的温度分布在炉中,在选择合适的生长速度和通过稍微凸起的界面向熔体可减少气泡的数量。

模型被提出来解释下几个突出的光吸收带的紫外线照射中子辐照蓝宝石晶体的变化。该模型的基础上,新的和以前观察到的光漂白和预测单,配对阴离子空位光学各向异性,指派吸收和发光带阴离子双空位的特定电荷状态。


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镍催化的有机金属化学气相氮化镓纳米线沉积生长和流程建模研究

 
 

实验和计算流体动力学为基础的反应器模拟研究的组合被用来在等温管式反应器研究了工艺条件对氮化镓纳米线生蓝宝石衬底长的影响由金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 。合成使用镍薄膜作为催化剂蓝宝石衬底的氮化镓纳米线。观察到的氮化镓纳米线的生长超过800-900 ℃的炉中的温度范围在V /比率从33到67和III被发现是强烈依赖于衬底相对于所述III族进料管的位置。建模研究表明,纳米线的生长一致地发生在一个区域中的反应器,其中所述氮化镓薄膜沉积率降低和气体相,主要由三甲基镓,氨加成物的化合物的反应以及分解产生的中间物质。氮化镓纳米线表现出主要的生长方向。光致发光测量显示增加在GaN近带边发光强度,并在深层次的黄色荧光的减少而增加生长温度和Ⅴ/Ⅲ比率。

外延锆钛酸铅镧[ PLZT (9/50/50) ]薄膜,制作在使用金属-有机溶液的旋涂各种单晶衬底。该薄膜进行热处理,在700 ℃下使用直接插入法1小时。薄膜的外延生长分别平行于钛酸锶、氧化镁、以及蓝宝石衬底。用X-射线衍射,极点图,摇摆曲线,和扫描电子显微镜对薄膜的外延生长进行研究。


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蓝宝石衬底对氧化锌薄膜的磁控溅射生长性能的影响退火

 
 

蓝宝石衬底上用直流磁控反应溅射外延生长氧化锌薄膜质量的退火效应进行了研究。通过高温退火形成在蓝宝石蓝宝石衬底(α- Al2O3)的衬底表面上的原子台阶的原子力显微镜进行分析。他们对氧化锌薄膜生长的影响进行了检查, X射线衍射和光致发光测量。实验结果表明,膜质量有显着影响的蓝宝石衬底表面的退火处理。蓝宝石衬底的氧化锌的最佳退火温度磁控溅射是1400 ℃,在空气中1小时。

垂直对齐的单晶氧化锌纳米棒已经成功地制造在通过一个气 - 液 - 固过程中半导体的氮化镓,Al0.5Ga0.5N和氮化铝基板。近乎完美对齐,观察所有无基材横向生长。室温光致发光测量显示较强的发光峰在378 nm处。这项工作表明生长氧化锌纳米棒异质结阵列上的铝 x 镓 - X氮 ,其具有从3.44到6.20电子伏特,通过改变铝组分从0到1的可调带隙的可能性,并打开一个新的信道建立垂直对准的异质结器件阵列具有可调的光学特性并实现了一类新装置中的。


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