从正的氧化锌紫外发光：GA/P-ZnO与p型氧化锌蓝宝石衬底氮同质结装置通过退火氧化氮等离子周围形成氮层
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- 发布于 2014年1月27日 星期一 13:35
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氧化锌同质结发光器件（LED）用正的氧化锌：镓的苯乙烯/对 - 氧化锌：无结构是由金属有机物化学气相沉积制造
在蓝宝石衬底上。可再现的p型氧化锌：氮层与空穴浓度1.29 × 1017厘米-3形成了以氨为随后的氧化氮等离子保护环境的热退火掺氮源。该器件表现出理想的整流行为。不同的电致发光发射中心在3.2 eV和2.4 eV的从该设备在正向偏压下在室温下进行检测。在强紫外线辐射媲美的电致发光光谱的可见光发射，这代表了氧化锌同质结LED的性能显着进展。
氧化锌外延层已经被沉积的化学气相传输上的单晶蓝宝石基板。氧化锌层已经沉积了厚度为100μ的。 X射线分析表明，氧化锌的c轴，可向平面平行于面取向的蓝宝石衬底。电阻率一般是从1到10Ω厘米，但可以显著提高锂或钠的扩散。
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a面氮化镓上由金属有机物汽相外延r面蓝宝石衬底上直接生长
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- 发布于 2014年1月26日 星期日 11:56
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我们通过金属有机汽相外延（MOVPE）法研究了非极性a面氮化镓的直接生长于R-平面蓝宝石衬底上。我们发现，
氮化镓的高密度成核生长在r面蓝宝石基板在高温生长的初始阶段没有缓冲层，这导致在a面氮化镓的平坦表面上。我们还研究了生长条件对表面形貌和a面氮化镓的生长特征的影响。结果表明，包围面逆三角形的凹坑形成在相对高的V / III比，和横向生长率沿c轴方向上以相对低的V/III比增强。
提出了以氮化镓的选择性外延延伸到横向过度生长，并采取增长各向异性的优势，产生应变自由的氮化镓晶体。通过选择性外延填充所述开口中的介电掩模后，横向过生长发生反射的各向异性生长。这允许具有非平面的几何形状的样品的制造。在选择性外延被直至岛聚结进行或者通过MOVPE或卤化物气相外延（HVPE ），金属有机物气相外延（ MOVPE ），而横向过生长来实现。氮化镓外延层是用常压金属有机物气相外延在蓝宝石上首先生长。电介质膜是氮化硅。开口均采用标准的光刻技术来实现。这些开口露出自由的氮化镓表面，并通过MOVPE用于外延再生长，然后通过HVPE 。
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氮化镓的MISFET对蓝宝石衬底功率和线性特性
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- 发布于 2014年1月24日 星期五 11:38
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从通过在氮化镓中的场效应晶体管（FET）一种MIS栅结构而产生的器件的性能的改进提出。氮化镓MISFET / 
MESFET器件被制造在蓝宝石衬底上具有和不具有对设备表面的薄氮化硅层的插入。在MIS场效应管器件显示改进的器件特性由于显著减少器件栅极漏相对于标准MESFET结构。测得的功率和线性性能表现出可喜的成果。根据于4GHz单音测试，设备产生的饱和输出功率6.2瓦/毫米， 55 ％的峰值功率附加效率。当使用双音信号设备进行测试保持了载体的30 dBc的高达1.8瓦/毫米， 40 ％的功率附加效率功率级三阶互调比。
氮化镓薄膜通过使用在低温下生长的氮化镓缓冲层的低压金属有机化学气相沉积生长在c面蓝宝石基板上。氮化镓薄膜的质量和表面形貌进行了强烈影响，在氮化镓缓冲层和氮化镓外延层的生长之前，在蓝宝石基板的表面进行预处理。生长在预氮化的蓝宝石基片表现出的膜对这些生长在即使表面形态变得粗糙衬底的膜的改进的电性能和光学性能。我们已经在2× 1016-5 ×的范围实现了载流子浓度1017厘米-3和电子迁移率在250-300厘米2 / V s于室温的范围内。氮化镓薄膜是由光致发光，霍尔测量，X-射线摇摆曲线和透射电子和扫描电镜进行评价。
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内部和内部辐射对蓝宝石晶体的熔体生长中的作用
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- 发布于 2014年1月26日 星期日 11:41
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对用于生长蓝宝石单晶，在生长过程中的特性，如温度和流场的内（壁到壁）和结晶内部（散装）辐射的影响下，
结构的感应加热提拉炉传热和晶体融化的数值使用二维准稳态有限元法界面进行了研究。全局分析所获得的结果表明温度场，热传输结构和晶体熔融接口的这两种类型的生长炉内的辐射热传递的一个很强的依赖性。
该明确定义的和单晶蓝宝石的可重复的电性能，使其对于微带一个有吸引力的衬底材料，但是它的介电各向异性是一项重要的设计复杂化。对蓝宝石基板单微带线切断与一个指定的方向准静态特性考虑到各向异性，一个新的介电常数参数被引入，这是线性函数到基板高度的比W/H 。 W/H的变化是由有限差分方法得出。万向曲线微带上正确地定向蓝宝石呈现，表示1） epsilonreq ；2）低频极限的有效介电常数微带epsilone0 ，所有线Z 0 ；3）特性阻抗为W/H功能。
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感测在蓝宝石衬底上外延生长的氧化锡气敏元件的特性
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- 发布于 2014年1月24日 星期五 11:19
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外延氧化锡薄膜上生长用反应射频磁控溅射在蓝宝石衬底。使用从浦项光源（PLS）组成的2电子伏特的电子加速
器， 4圆X射线衍射仪，原子力显微镜（AFM） ，透射电子显微镜（TEM）的3C2束线薄膜的微观结构进行了研究与抛光氧化铝的氧化锡薄膜比较。可以确认，该薄膜外延生长用的变型晶体结构的蓝宝石基板上。没有晶粒边界被陈列在外延薄膜的表面上。在氧化锡薄膜的吸附位的大部分似乎与气体发生化学作用。
外延的氧化锡气体传感器，使用铂加热器和电极，表现出高灵敏度的可燃气体和95%的酒精在2000 ppm或350 ℃的特定灵敏度该传感器也表现出良好的稳定性，小的基线漂移和快速反应和大约5和30秒的恢复时间，分别为。
这个实验证实了外延生长的氧化锡气体传感器的良好气敏特性。
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