对蓝宝石衬底生长由低压有机金属气相外延氮化镓成核层的替代显微

 
 

主要是六方晶系氮化镓成核层通过低压有机金属气相外延生长在蓝宝石衬底上。氮化镓关于正常蓝宝石基板的单个蓝宝石衬底晶粒的倾斜角度被确定为在从0°到5 °的范围内通过选择区域电子衍射。观察到氮化镓构成的立方相的一小部分被选择性地分布在晶界区和瞬时表面状态是建议在闪锌矿相的成核中发挥重要作用。由六方引起的从离子束辐射沉重的氮化镓立方相转变也注意到了。临界温度建议在形成主要是立方或六方氮化镓成核层存在。

在蓝宝石上外延横向杂草丛生的氮化镓被用来减少螺旋位错从氮化镓外延层与蓝宝石衬底的界面始发的数量。在氮化镓层周围的窗口,对应的横向过度生长的氧化硅掩模区以上,几乎是自由的穿透位错。中观察到的氮化镓的附近窗口中的区域生长的穿透位错的密度高。的InGaN多量子阱结构的激光二极管(LD )生长在纯净的氮化镓衬底,这是由去除蓝宝石衬底制作,进行了论证。用5毫瓦的输出功率的LD展出超过290小时的寿命和10,000小时的寿命估计尽管有比较大的阈值电流密度。具有切割面镜子这些LD的远场图形显示单模发射无任何干扰效应。


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