块状二硫化钨可以通过物理和化学方法进行剥离，分为机械剥离法、液体剥离方法和锂离子插层法。近年来，为了获得大面积、高质量的单层WS₂薄膜，研究人员尝试在锭晶衬底上生长单层WS₂薄膜，然后通过原子或分子插层法剥离。

钨钴（WC-Co）硬质合金是可制造切削刀具和模具的一种由碳化钨（WC）粉末和金属钴（Co）粉组成的合金材料，其硬度、强度与WC颗粒的大小密切相关，即在一定范围内，WC晶粒越小，合金的硬度和强度越大。而WC粉末的粒度大小与其原材料氧化钨的颗粒尺寸有关，即氧化钨粒度越小，WC粉末越细。因此，为了制造出纳米WC-Co硬质合金，专利号为CN103708560B的研究者提出了一种纳米三氧化钨的生产方法，具体步骤如下：

用化学方法制备二硫化钨（WS₂）薄膜的两种常见方法是化学气相沉积（CVD）和在高温高压条件下用水热法从水溶液中生长单晶WS₂。CVD是用于制备WS₂的最常用方法。CVD方法涉及一个反应过程，其中气态前体在固体表面发生化学反应，生成固体沉积物。

在过渡金属二硫化物（TMDs）家族中，二硫化钨（WS²）因其半导体特性而具有独特的带状结构；即其宽带光谱响应特性、超快的漂白恢复时间和出色的可饱和光吸收而受到越来越多的关注。