二碲化钨（Tungsten ditelluride，WTe2）是过渡金属钨的一种重要化合物，除了具有良好的超导性、热电性、催化性和热化学稳定性之外，还具有极为出色的巨磁阻效应。

二碲化钨（WTe2）是具有层状结构的过渡金属硫族化合物，具有良好的超导电性、热电性能和巨磁阻效应，广泛应用于在存储器、电容器和传感器等产品中。但是，目前所制备的WTe2产品基本上是二维结构，很少有一维结构的纳米线。因此，专利号为CN109267036B的研究者提供了一种二碲化钨纳米线的生产方法，具体步骤如下：

作为过渡金属硫族化合物的典型层状材料，二碲化钨（WTe2）具有与石墨烯（C）和二硫化钨（WS2）相似的层状结构，即层与层之间是靠范德瓦尔斯相互作用耦合的，每一层都会沿着c轴堆叠，层内上下碲原子层中间是钨原子层，钨原子和碲原子之间用共价键连接，一个钨原子被6个碲原子和两个钨原子包围。结构的特殊性，赋予了WTe2材料良好的热学、力学、光学、电学和化学等性能，使之广泛应用于光电领域。

在各种二维材料中，氧化钛纳米管（TiO2纳米管）是稳定和环保的，其电子、光学和介电性能可以通过表面改性来调整。研究人员利用钨酸与氧化钛纳米管（W-TNT）共价键合，首次作为离子交换填料用于制造质子交换复合膜。钨酸基（H2WO4）含有类似磺酸基（SO3H）的可交换质子，也可以作为离子交换器。