二碲化钨纳米片（WTe2纳米片）凭借着其良好的半金属性能、较强的电子传输能力以及较多的活性位点等优势，有望成为电化学析氢反应的重要催化剂。因此，文档序号为23479949的专利的研究者提供了一种操作简单、成本低廉且程序可控的生产方法，具体步骤如下：

作为过渡金属硫族化合物的典型层状材料，二碲化钨（WTe2）具有与石墨烯（C）和二硫化钨（WS2）相似的层状结构，即层与层之间是靠范德瓦尔斯相互作用耦合的，每一层都会沿着c轴堆叠，层内上下碲原子层中间是钨原子层，钨原子和碲原子之间用共价键连接，一个钨原子被6个碲原子和两个钨原子包围。结构的特殊性，赋予了WTe2材料良好的热学、力学、光学、电学和化学等性能，使之广泛应用于光电领域。

二碲化钨（Tungsten ditelluride，WTe2）是过渡金属钨的一种重要化合物，除了具有良好的超导性、热电性、催化性和热化学稳定性之外，还具有极为出色的巨磁阻效应。

二碲化钨（WTe2）是具有层状结构的过渡金属硫族化合物，具有良好的超导电性、热电性能和巨磁阻效应，广泛应用于在存储器、电容器和传感器等产品中。但是，目前所制备的WTe2产品基本上是二维结构，很少有一维结构的纳米线。因此，专利号为CN109267036B的研究者提供了一种二碲化钨纳米线的生产方法，具体步骤如下：