活化烧结制备钨铜合金棒

活化烧结制备钨铜合金棒是一种重要的钨铜合金棒制备方法。活化烧结制备钨铜合金棒的原理是采用物理或化学的手段使烧结温度降低,烧结时间缩短,烧结能提高的一种粉末冶金方法。
活化烧结制备钨铜合金棒的优点在于不仅降低了烧结温度,缩短烧结时间,而且烧结致密度大大提高。活化烧结有机械活化(mechamicalactiva-tion)和化学活化之分,机械活化是机械合金化(mechanicalallo-ying)的前期。它对粉末进行高能球磨,经过高能球磨,粉末的粉末的活性增大。机械活化和机械合金化在材料领域得到了广泛的应用。



另一方面,活化烧结制备钨铜合金棒可以使钨铜合金棒获得较高的相对密度、硬度、断裂强度等,但是活化剂的加入影响铜的导电和导热性能,显著降低了该复合材料的导电、导热性,因此制备的材料只适用于制备导电、导热性要求不高的场合。


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热处理温度对三氧化钨纳米薄膜的影响

经实验发现用磁控溅射法制备的三氧化钨(WO3)纳米薄膜经过两步热处理制备出来的WO3纳米薄膜的性能更加稳定。所以热处理的温度对制备WO3纳米薄膜有着重要的影响。

在基片上溅射的薄膜起初是无定型结构的,对任何气体都没有敏感性,所以需要对薄膜进行热处理,热处理过后才薄膜才具有多晶结构,且稳定性得到改善。经实验发现当热处理温度高于300℃时,产生尺寸为20~70nm的WO3纳米晶体薄膜,再经过600℃热处理得到了性能良好的纳米薄膜。在热处理高于300℃时,平均粒度和裂缝尺寸都有所增加,使得灵敏度下降。但是经过两步的热处理可以避免发生该现象。且经过实验发现第二步热处理在600℃条件下进行处理没有发现薄膜粒径变大或者裂纹的出现。由此可发现运用两步热处理方法制得薄膜比在高温下制得薄膜性能要更好。

 

 

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三氧化钨纳米薄膜的制备

近年来,三氧化钨被认为是制备是用来检测NOX,NH3,以及O3的最好气敏材料之一,纳米结构的三氧化钨薄膜的性使得薄膜的特性得到明显的改善。而采用纳米结构的三氧化钨薄膜作为传感器,灵敏度也能得到显著的提高。纳米三氧化钨薄膜的制备方法如下:
1.首先在抛光的Si上用PECVD法生长一层Si3N4,在Si3N4表面溅射叉指向Pt电极,再在其上用直流反应磁控溅射法沉积1500A的WO3薄膜。
2.为了得到良好稳定性能的半导体WO3薄膜,在不同温度下进行两步热处理。首先先将薄膜在300℃下处理6h,随路冷却至室温。
3.然后将前一步经过热处理的薄膜在600℃下进行第二次热处理,时间为12小时,得到WO3气敏原件。

 

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溅射气体对三氧化钨纳米薄膜的影响

通过反应磁空溅射法制备的三氧化钨纳米薄膜,它的平均粒度径均小于100nm。三氧化钨(WO3)纳米薄膜晶粒的大小与磁射条件和处理温度相关。经过研究者的实验发现在溅射WO3纳米薄膜时,溅射气体量和比例对提高气敏特性起着重要的影响。

通过XPS分析可知,虽然溅射混合气体(O2/Ar)的比例不同,但是W4f7/2和Ols的结合能不变,分别是35.5eV和530.6eV。并且WO3纳米薄膜没有发生化学计量比的变化,但是随着O2分压的不同,WO3纳米薄膜微结构将会有很大的变化,这种现象可以用团聚的减少来解释,即当O2分压增加时,晶体粒径变小。但如果O2分压大于50%时,则会导致孔隙率的降低,从而降低了原件的灵敏度,这说明最佳溅射混合比例为1:1。所以当溅射混合气体(O2/Ar)比例为1:1时采用直流反应磁控溅射法制备WO3纳米薄膜的气敏度最好。

 

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氧化钨颗粒形貌与大小

随着氧化钨广泛应用于工业和现代科技领域,对氧化钨性能和形貌的研究慢慢扩大。这不仅有利于扩大氧化钨的应用领域也有利于提高产品的性能。通过透色电镜观察氧化钨的形貌与大小发现相成分不同的氧化钨颗粒形貌及尺寸相差很大。紫钨的颗粒是棒状,其余的氧化钨颗粒形貌为近球状。紫钨的颗粒尺寸大于其他氧化钨的颗粒大小。而以ATB为主相的蓝钨颗粒尺寸最小。且通过电子衍射图谱可以看出,紫钨颗粒为单晶颗粒,而其他氧化钨则为多晶颗粒。其中棒状紫钨颗粒的长度有几个微米,横断面尺寸为100~200nm左右。以ATB为主相的蓝钨颗粒横断面尺寸为10nm左右。WO20O58为主相的的蓝钨颗粒横断面尺寸为40nm左右,WO3的颗粒横断面尺寸与W20W58颗粒相当。从颗粒间的聚合程度来看,ATB颗粒间的间隙最小。将氧化钨的微观颗粒大小与其宏观FSSS粒度相比较,可以看出这两者并无相关联系。

 

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