CVD 钨管的表面粗糙度

钨管的表面粗糙度受沉积温度的影响显著,其粗糙度随沉积温度的升高而增加。

当沉积温度从600℃升至700℃时,钨管的表面粗糙度明显加大。所以,沉积温度应控制在600℃左右,以获得表面光洁、平整度良好的沉积钨管。

钨管的表面粗糙度主要受膜层生长表面形貌和沉积层组织的影响。若是沉积生长界面(呈现柱状晶)的稳定性较好,则膜层表面的平整度是最好的。随着温度升高到一定程度,被还原的W原子会在沉积生长界面再次形核并继续生长,也就是说,高温导致沉积层显微组织和沉积生长界面发生改变,最终导致钨管的表面粗糙程度增加。


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CVD钨管---氟化物与氯化物的对比

氟化物(WF6)CVD(化学气相沉积)与氯化物CVD的对比发现,氟化物CVD钨管的优点如下:

杂质含量低。大多数金属氟化物的沸点>1000℃。所以,在恒温条件下(20-28℃左右),WF6蒸发阶段,WF6能够实现其与其他大部分伴生杂质的分离。

还原反应:WF6 + H2 → W + 6HF (125Kj/mol)

一个标准大气压下,该反应在300℃以上就能够实现;在600℃时,该反应的平衡常数已接近1。

因为该反应所需的反应温度较低,所以可以使用一般的加热设备(如不锈钢等),这使得加热设备的制作和实际操作方便了许多。即氟化物CVD方法制取钨管阶段的选择性相对较多。

 

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化学气相沉积(制备钨管)的优点

因为采用CVD制备钨管具有众多优点,所以其受到冶金工业等相关人士的关注。

化学气相沉积的优点:

相比粉末冶金工艺,CVD(化学气相沉积)工艺较为简单化且稳定,可实现一次成型,因而避免了烧结、冲压、锻造等工艺过程。

沉积速度快且效率高。因为难熔金属具有原子半径大、高熔点等特性,所以不适合采用PVD(物理气相沉积)等制备技术---沉积效率低。

绕镀性好。因而可以沉积获得形状复杂的、组织致密的或是大型的零件和涂层。也容易实现管道内壁亦或是容器内壁的膜层沉积,还可以实现多层膜沉积和多组元合金膜层沉积。

沉积膜层的纯度高、致密度好且可以精确控制多组元合金膜层成分。


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CVD钨管工艺原理

反应源气体:WF6  
还原气体:H2     
沉积基体:紫铜管
气压条件:常压下     

CVD(化学气相沉积)钨管工艺原理:
首先,在恒温条件下,加热WF6并待其气化后,将其通入气体混合室中使其与氢气充分混合,然后再将其通入反应室。

通过加热紫铜管使温度上升至所需的沉积温度。

WF6和H2在紫铜管表面发生化学反应,WF6被还原为W原子。这些W原子会在紫铜管表面聚集形核并长大,最终形成钨沉积层。

WF6和H2反应的化学反应式如下:

WF6 + H2 → W + 6HF (125Kj/mol) 

用气体吸收装置吸收被排出反应室的未发生反应的WF6、H2的剩余气体和生成的HF。


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影响细颗粒紫色氧化钨的因素(2)

经过研究发现影响紫色氧化钨颗粒大小的因素有原料(APT)的粒度大小和生产工艺条件。生产工艺条件包括还原温度、升温速度、水蒸气与氢气压比、料层厚度和反应时间等。首先是水蒸气与氢气分压比的影响,水蒸气与氢气的分压比越大,则产物的粒度越大。这主要是因为氢气湿度大能形成挥发性含水氧化钨的形成,这些氧化钨容易在较细的颗粒上覆盖,使得颗粒粒度增大。其次是升温速度的影响,经实验发现要制取细颗粒粉末升温速度不宜过快,在管式炉中进行还原时,升温速度取决于炉内温度梯度和推舟速度,故减小炉内温度梯度和推舟速度均有利于得到细颗粒紫钨。而还原的温度对紫钨颗粒的影响主要是还原温度越高则产物的粒度越大。同时还原时间也在一定程度上对紫钨的颗粒产生影响,还原反应时间越长颗粒粒度越大。最后是料层的厚度,料层厚度越大,则产物颗粒度越大。

 

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