钨溅射靶材由钨粉制成，可运用于太阳能电池镀膜、工模具镀膜、玻璃镀膜亦或是耐高温、耐磨、耐腐蚀的高档装饰用品等行业。在化石燃料资源已日益减少的今天，人们逐渐把目光转向太阳能，主要就是把太阳（光能）转换成电能和热能。

如今，太阳能电池已经发展到第三代（薄膜太阳能电池），而溅射镀膜工艺则是首当其冲，成为被优先选用的制备方法。随着低碳经济的发展，太阳能电池镀膜用靶材已经成为全球各地各靶材供货商的研发产品的重点。太阳能电池镀膜的增长方式呈现爆炸式，有数据显示，从2005年至2007，太阳能电池装机量的年增长率分别为：23％，40％，67％。常用的太阳能电池镀膜材料有：钨、氧化锌、钼等。


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钨溅射靶材的市场在国内、国际都呈现快速增长的势头，钨溅射靶材的发展，技术与服务同等重要。技术力量雄厚是决定因素之一，当然，产品种类多样并具有特色产品的钨溅射靶材公司在市场竞争中将取得话语权。若是再提供令镀膜厂家满意的售前售后服务，这无疑会取得大成功。

当下，低碳经济的推行越来越广泛，这使得节能环保成为企业发展必须考虑的一个重要的战略因素。钨溅射靶材属于环保产业，一方面是顺应时代的发展，另一方面则是树立了良好的企业形象，以此来赢得顾客。总的来讲，钨溅射靶材行业前景广阔，由于镀膜产业的快速发展、扩大和市场需求的急剧增加，这无疑为钨溅射靶材市场的快速发展起到催化剂的作用。


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硬质合金棒粉末挤压工艺对策

尽管近几年来我国在粉末挤压工艺上取得了很大的进步，但是在理论和技术研究上仍然不成熟。尤其与其他国家在挤压流变学领域上有很大的差距。我们需要不断研究探索才能赶上甚至超过其他国家的水平。以下是关于现存问题的一些对策：

1.积极开展挤压流变学领域的技术研究。组织专业研究团队，借鉴其他流变工艺例如工业流变学和基础流变学，把挤压流变参数应用到挤压工艺中来。

2.大力研发挤压粘结剂。目前我们既无法从其他国家引进资源，也无法从相关报道中获取信息。因此我们只有通过自己的不断摸索并通过与化工部门的合作来生产可以适应不同类型与状态下粉末的实用粘结剂。

3.开展硬质合金棒粉末挤压工艺与相关设备配套的研究。搞清在不同喂料下挤压流变对硬质合金棒的密度以及硬质合金棒粉末挤压工艺的影响。


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硬质合金棒粉末冶金历史

硬质合金棒粉末冶金与金属和陶瓷烧结有着密切的关系。把粉末制成一块固体金属或陶瓷片就是烧结。在公元前3000年，当埃及已经有了粗糙的铁粉冶炼工艺，印度的史密斯夫妇设计并造成了闻名于世的“铁柱德里”，重约6.5吨，并且在公元300年造成了其他更大的建筑。远古时代的印加人应用金属粉末制作珠宝和其他工艺品。直到十九世纪末期，大量的粉末冶金产品才开始面世。

电灯钨丝的发明推动了粉末冶金的发展。1932年，硬质合金棒粉末冶金的出现极大地推动了粉末冶金的进步。硬质合金棒粉末冶金技术克服了难熔金属的熔铸问题。


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硬质合金棒材模压工艺

硬质合金棒材模压工艺包括水平方向压制和垂直方向压制。

水平方向压制：
首先，将模具的两个冲压机做成圆形棒材的形状，然后将粉末在两个冲压机之间挤压。这种工艺生产出来的棒材长度很容易受到模具和挤压机器的规格的限制。由于两个冲压机对粉末的压力不均，由此毛坯容易产生缝隙，并且难以闭合。同时这也会导致钴浓度增加的可能性，由此制成的硬质合金棒材会产生裂缝并且不能被修复。

垂直方向压制：
压制方法和水平方向压制法相似，垂直方向压制制出的硬质合金棒材同样受到模具和挤压机器的限制，在垂直方向很难被取出。


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硬质合金棒等静压工艺

硬质合金棒等静压工艺是一个质量守恒的成形过程。细小的金属粒子被放在一个可变形的模具中，模具中同时加入了高压的气体或液体。紧接着这些物质被放在一个烧铸炉中烧结，联结金属粒子，从而增加棒体的强度。这个生产过程可以生产出各种形状的硬质合金棒。

热等静压工艺在900华氏度至2250华氏度下同时对物体进行压制和烧结。由于氩气是一种惰性气体，因此成为热等静压工艺中最常用的气体，防止操作过程中不同物质发生化学反应。

冷等静压工艺运用液体在常温下增加炉内压强。烧结过程是必不可少的。液体成为了一个中间媒介，可以帮助在密封的塑胶容器中分散压力。

 

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光催化是今年来发展的新领域，目前有许多的半导体材料被当做光催化剂，用于水分解。WO₃中的钨离子由于存在氧缺位而出现部分的W⁶⁺还原成为W⁵⁺离子，氧缺位影响三氧化钨晶型和能级结构，从而影响了光催化性能。非化学计量WO_3-X表现n型半导体行为，禁带宽度为2.4~2.8ev，这也使得它的光催化性能由于其他的半导体材料。在波长大于330nm紫外光辐射下，Fe²⁺/Fe³⁺电解质体系中，WO₃粉体催化光解水产氧气速率为1220umol/g/h。420nm可见光辐射下，产氧速率也达到了320umol/g/h。当WO₃中的钨离子由于存在氧缺位而出现部分的W⁶⁺还原成为W⁵⁺离子时，发生了电致变色效应，材料的颜色相应地由浅黄色变为浅绿色。通过外部离子和电子对WO₃材料的可逆注入，使得W⁶⁺离子和W⁵⁺离子相互转换，在这方面的应用有材料的着色和消色。

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三氧化钨的分子式为WO₃，分子量为231.85。WO₃的分子式相当的简单，但是它的物理性质却十分复杂。满足化学计量比且无任何杂质的三氧化钨应该是无色透明的绝缘体，但是通常WO₃中的氧的含量并不满足严格的化学计量比，因为在制备中难以控制氧含量，加之其他的复杂因素，所以WO_3-X的型式来表示。1959年，Sawada和Danielson报道了WO₃单晶上进行的电阻率测量的电阻率结果p=1.7×10^-1Ω·cm。1983年Sahle 和Nygren报道了WO_3-X（0≤y≤0.28）系列单晶的电导率测量。随着对三氧化钨的电学性质的研究，我们可以发现，对于WO_3-X单晶，其电学性能随其结构和含氧量的变化可以分别呈现金属或者半导体行为。铁电行为是WO₃材料的一个极为重要的电学性质。WO₃晶体是一种铁电材料，其铁电温度是Tc=-40℃。

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三氧化钨作为光催化剂在降解有机和无机材料方面有着广阔的应用前景。以APT 和H₂WO₄为原料经过固相法烧结制备出来的WO_3-X光催化剂的效能是不一样的，在高温条件下以APT为原料制得六方相WO_3-X光催化剂效能更好。

但是实验证明，以H₂WO₄为原料运用水热晶化法制得的WO_3-X是六方相的，氧指数为2.50，光催化分解水性能得到大大的提高。在水热晶化法中，原料会随着发生温度的提高，发生变化。随着温度的增加，产物会从WO_3-X．0.33H₂O转变为六方WO_3-X在随着温度发展转变为单斜WO_3-X。一开始WO_3-X的光催化会随着温度的提高变好，但是随着六方相WO_3-X慢慢转变为单斜WO_3-X，它的光催化分解水性能也慢慢的减少。从中我们可以随着氧指数的逐渐减少，WO_3-X的光催化分解水速率先升高，达到极限后又急剧下降，即WO_3-X的光催化性能存在最佳氧空位含量。当氧指数在2.44~2.50时，其光分解速率较大。因此六方相WO_3-X有利于提高WO_3-X光催化分解水性能。

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光催化是用于将水分解成氢和氧的催化剂。三氧化钨中的钨离子由于存在氧缺位而出现部分W⁶⁺离子还原成W⁵⁺离子，氧缺位是决定三氧化钨光催化性能的主要原因。但是由于钨氧化价态变化大，含氧量难以确定，结构相变多和电学性质复杂等原因不同晶型的光催化性质一直不能确定。

经过专家多次试验后发现，用APT经固相法制备的WO_3-X光催化剂，主要是由单斜相组成，它的光催化分解水性能较差。但是改变反应条件之后，它的光催化性能就能大大提升。例如当在温度600℃的条件下加热4小时会产生六方相WO_3-X，六方相WO_3-X的光分解水析氧速率最高。用H₂WO₄经固相法制备的WO_3-X光催化剂均为单斜相。且温度对于光催化性能的改变不大。所以运用H₂WO₄制备的WO_3-X光催化的性能不如用APT在600℃温度下制备的WO_3-X的光催化性能好。

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