仲钨酸铵六水合物
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2015年7月08日 星期三 14:11
- 作者:Cristina
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仲钨酸铵四水合物从水合钨酸铵溶液中结晶析出是目前制备钨粉的一个重要工艺。仲钨酸铵六水合物同样可以在仲钨酸铵四水合物生成条件下形成。基于这个条件推测仲钨酸铵六水合物是相对稳定的。通过相关实验探究在何种条件下仲钨酸铵六水合物是稳定的。
实验结果表明仲钨酸铵六水合物在溶液浓度为每千克三氧化钨含量为230-300克时较为稳定,温度为90-96摄氏度。在结晶过程中,当水溶液趋于稳定时,仲钨酸铵六水合物立刻重结晶为仲钨酸铵四水合物。溶液的温度升高也会加速重结晶的速率。在工业中一些残留的晶体一般会出现在结晶设备中。因此,仲钨酸铵六水合物不会在工业结晶过程中形成。
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发展钨铜复合材料的重要意义
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2015年7月08日 星期三 13:01
- 作者:renge
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钨铜复合材料由高熔点、高密度及低膨胀系数的钨和高导电、高导热的铜组成,兼具二者的优越性能,如具有高导电导热性能、低膨胀系数、良好的高温 强度和抗电弧烧蚀性能等。早在上世纪三十年代,钨铜复合材料由于其良好的耐压强度和耐电烧蚀性能,在高压电器开关等工业部门获得了广泛应用。进入六十年代,钨铜复合材料逐渐在电阻焊电极、航空航天耐高温零部件等领域获得应用。此后,随着制备技术的逐步提高,于九十年代作为电子封装和热沉材料开始在大规模 集成电路和大功率电子器件等领域获得了广泛应用。进入二十一世纪,钨铜复合材料更是作为破甲弹药罩材料、导弹喷管材料及靶材等在军事及高新技术领域引起关注。
现在,钨铜复合材料由于其良好的导电、导热性能及优异的热稳定性,已成为大功率微波器件和超大规模集成电路基片、嵌块、连接件及散热元件等不可 缺的关键材料,其高导热、高热稳定性及良好的近净尺寸成形性,可提高微电子器件的使用功率,有利于实现器件的小型化和精密化发展。钨铜复合材料的低热膨胀 系数及其热膨胀系数的可调节性,有利于其与微电子器件中硅片、砷化镓等半导体材料及管用陶瓷材料的连接匹配,避免热应力导致的热疲劳破坏,拓宽了钨铜复合 材料在微电子领域的应用范围。
钨铜复合材料由于其高导电、导热性能,良好的抗电弧、抗摩擦及热稳定性等,早已在电磁炮导轨、火箭导弹喷管喉衬及燃气舵等高温领域获得重要应用。近年来,钨铜复合材料逐渐被用作破甲弹药罩材料,其高密度、高声速及良好的力学性能,有利于提高破甲弹的破甲威力。
钨铜复合材料是一种重要的粉末冶金材料,目前广泛应用的制备方法之一是“熔渗法”。溶渗法制备的钨铜材料具有致密度 高,烧结性能好,导电、导热性能理想等优点。
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钨合金镀金制品如何防蚀
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- 发布于 2015年7月08日 星期三 11:59
- 作者:liwei
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钨合金镀金制品虽然具有很高的耐腐蚀性,但也会出现表面镀金层被腐蚀的现象,要提高钨合金镀金制品的防蚀效果,需在制程及环境就开始注意。
a.降低孔隙度﹕
1)降低电流密度﹐使电镀结晶更细腻
2)增加电镀时的搅拌能力﹐降低针孔发生率
3)使用脉冲整流器﹐让镀层结晶颗粒细致﹐孔隙缩小。
4)使用封孔剂
b.加强环境
1)电镀完后﹐必须用纯水清洗干净
2)生产后产品尽量不要用手直接接触镀层
3)电镀后之制品应马上撤出电镀现场
4)储存及加工环境应保持恒温﹑低湿度﹑干燥的空气﹐必要时装设空调﹐除湿机﹐防止灰尘进入。
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钨合金镀金制品电镀工艺
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2015年7月08日 星期三 12:01
- 作者:liwei
- 点击数:2124
电镀是指在含有预镀金属的盐类溶液中,以被镀基体金属为阴极,通过电解作用,使镀液中预镀金属的阳离子在基体金属表面沉积出来,形成镀层的一种表面加工方法。
工艺过程
一般包括电镀前预处理,电镀及镀后处理三个阶段。
完整过程:
1、浸酸→全板电镀铜→图形转移→酸性除油→二级逆流漂洗→微蚀→二级 →浸酸→镀锡→二级逆流漂洗
2、逆流漂洗→浸酸→图形电镀铜→二级逆流漂洗 →镀镍→二级水洗→浸柠檬酸→镀金→回收→2-3级纯水洗→烘干
工艺要求
1. 镀层与基体金属、镀层与镀层之间,应有良好的结合力。
2. 镀层应结晶细致、平整、厚度均匀。
3. 镀层应具有规定的厚度和尽可能少的孔隙。
4. 镀层应具有规定的各项指标,如光亮度、硬度、导电性等。 5. 电镀时间及电镀过程的温度,决定镀层厚度的大小。
5.环境温度为-10℃~60℃;
6.输入电压为220V±22V或380V±38V;
7.水处理设备最大工作噪声应不大于80dB(A)。
8.相对湿度(RH)应不大于95%;
9.原水COD含量为100mg/L~150000mg/L。
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钨酸钙纳米晶的制备及性能-4结论
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- 发布于 2015年7月08日 星期三 11:06
- 作者:xinyi
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结 论
(1)以Na2WO4・2H2O和Ca(NO3)2・4H2O为原料,加表面活性剂PEG200,可以合成CaWO4纳米晶。
(2)IR光谱图中3420cm-1处的吸收峰是由于O-Ca键的形成导致PEG200中3343cm-1处O-H键的吸收峰红移而出现的。
(3)PEG200对CaWO4纳米晶间的分散作用是由于O-Ca键的形成导致的。
(4)在265nm波长光的激发下,CaWO4纳米晶的光致发光谱表现出一峰位约位于403nm处的宽化的蓝色发光带,其峰位与块体材料相比发生了蓝移。
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