六氟化钨的用途

六氟化钨(WF6)是钨的氟化物中唯一能稳定并被工业化生产的品种。它主要用于钨的化学蒸镀,该反应的化学方程式为:WF6+3H2→W+6HF。该还原反应中六氟化钨在高温下可被氢气或者其他还原性气体(如GeH4、SiH2F2和二乙基硅烷等)还原为金属钨和HF,其中六氟化钨作为原材料广泛应用于电子工业中金属钨化学气相沉积(CVD)工艺技术的基础。比如用WF6制成的WSi2可用作大规模集成电路(LSI)中的配线材料。且通过混合金属的CVD工艺制得钨和铼的复合涂层可以用于X射线的发射电极和太阳能吸收器的制造。此外WF6在电子行业中还主要用作半导体电极和导电浆糊等原材料。
除了在电子工业上的应用,六氟化钨在非电子方面的应用也十分广泛,通过CVD技术使钨在钢的表面生成坚硬的碳化钨可以改善钢的表面性能。另外,六氟化钨还广泛用于氟化剂、聚合催化剂及光学材料的原料,用于制造低电阻、高熔点的互连线、某些钨制部件如钨管、钳锅。


 

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六氟化钨的合成(3)

六氟化钨的合成方法有很多种,以下介绍的是通过钨、卤素和HF进行反应生成六氟化钨的化学反应过程
通过钨、卤素和HF进行反应生成六氟化钨的化学反应方程式如下所示:W + 3X2 + 6HF —— WF6 + 6HX。其中X2为卤素中的一种,通常为Cl2或者Br2,该反应需要在蒙乃尔合金的高压釜中进行。
以Cl2为例,为了保证产物有良好的产率,通常使Cl2和HF适当过量,氯气与六氟化钨的理论摩尔比为3:1,而在实验中采用的是3~6:1。氟化氢与六氟化钨的理论摩尔比为6:1,在实践中采用的是6~10:1,反应温度控制在150~450℃。虽然提高反应温度有利于反应的进行但是温度过高会导致反应装置腐蚀严重,且WF6会部分发生分解。
这种方法常有副产物生成,所以不论从环境保护还是经济效益方面考虑都不是一个制取六氟化钨特别好的方法。

 

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六氟化钨的合成(1)

六氟化钨是一种强氟化剂,除镍、蒙乃尔合金和不锈钢外,在室温下能使许多金属氟化。在干燥状态时对玻璃的腐蚀较弱,但是在湿气重能迅速反应。六氟化钨与离子型卤化物反应可形成配位化合物,在高温下可被氢还原为钨。六氟化钨的合成方法有三种,以下介绍的是采用的是使氟气作为氟化剂的工艺:采用钨与氟气(F2)直接反应的方法来合成六氟化钨,为了防止氟侵蚀容器壁,进行反应的容器材质应为蒙乃尔合金、镍或者不锈钢。化学反应方程式如下:W + 3F2 —— WF6
此反应在400 ℃的条件下进行,钨与F2 直接反应生成六氟化钨,因为F2 的性质太活泼,为了使反应平稳需要在其中加入一定比例的氮气。金属钨一般以钨粉的形式加入,以使气固相的接触面积尽可能大,反应生成的六氟化钨通入另一低温容器中以液体形式收集。


 

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六氟化钨的合成(2)

目前常用于合成六氟化钨的方法有三种,第一种是通过氟气和钨直接反应生成六氟化钨。第二种是钨和三氟化氮(NF3)直接反应生成六氟化钨。第三种方法是通过用钨、卤素和HF进行反应生成六氟化钨。以下介绍的过钨和三氟化氮制备六氟化钨的反应过程,该反应中NF3作为氟化剂。
通过钨和三氟化氮的反应方程式如下:W + 2NF3 —— WF6 + 3N2,该反应在大于400℃条件下NF3分解产生F2。F2与金属反应生成六氟化钨。所使用的NF3 中的水分含量直接关系到产品的纯度,即要生产高纯六氟化钨需要使用高纯NF3。而高纯的NF3要求采用低温冷凝法使NF3在-130℃~-70℃下冷却,水分凝固后分离后制得,且要将其导入一个用镍或蒙乃尔合金制成的反应器中。但是这会导致制作成本的提高,且有较高的投资风险,不适合运用于工业化生产。


 

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钨铜合金电极的主要规格

钨铜合金电极的主要规格包括70W30Cu型、75W25Cu型、80W20Cu型和85W15Cu型

70W30Cu型

70W30Cu型钨铜合金电极是利用高纯钨粉优异的金属特性和高纯紫铜粉的可塑性、高导电性等优点,经静压成型、高温烧结、溶渗铜的工艺精制而成的复合材料。

75W25Cu型

75W25Cu型钨铜合金电极作为钨和铜的复合材料,同时具备了铜的热性能以及低膨胀性的优良特点。75%W的钨铜合金电极具有高耐热性,高热导率和低膨胀等特点,因此75%W的钨铜合金电极常被应用于电阻焊,电气接触以及散热器中。

80W20Cu型

80W20Cu型钨铜合金电极的钨含量为80%,牌号表示为CuW80,CuW80的硬度大概为98HRB,密度大概为15.58g/cm3。钨铜复合材料的热膨胀特性与碳化硅、氧化铝和氧化铍的相似,被利用与基板和芯片使用。

85W15Cu型

85W15Cu型钨铜合金电极是以钨、铜元素为主组成的一种两相结构假合金,是金属基复合材料.由于金属铜和钨物性差异较大,因此不能采用熔铸法进行生产,一般采用粉末合金技术进行生产。

 

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