仲钨酸铵制备蓝色氧化钨影响因素
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- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年7月13日 星期一 15:10
- 作者：Cristina
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仲钨酸铵制备蓝色氧化钨的影响因素如下：
1.温度对蓝色氧化钨结果的影响为：随着温度的升高，蓝色氧化钨的粒度无规律变化，但变化不大，证明蓝色氧化钨受温度条件的影响不显著。氧指数呈下降趋势，残氨呈下降趋势。
2.给料速度主要控制还原时间，给料速度越快，还原时间越短。还原时间对蓝色氧化钨结果的影响为：随着还原时间的延长，氧指数呈下降趋势，残氨呈下降趋势。但是实验温度的影响远大于还原时间的影响。这是因为仲钨酸铵在高温下裂解脱出结晶水和氨，变成黄色氧化钨，黄钨在较低温度时，在氢气气氛下还原时，在很短的时间内，即可迅速变成蓝色氧化钨。
3.回转炉转速对氧化钨结果的影响为：随着回转炉转速的加快，蓝色氧化钨粒度分布均匀。这是因为回转炉转速加快，物料与炉管接触时间短，受热均匀，排气顺畅，从而蓝色氧化钨之间的质量均匀，粒度分布均匀性好。
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仲钨酸铵晶体的生长反应历程
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- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年7月13日 星期一 15:06
- 作者：Cristina
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仲钨酸铵晶体生长历程可由非基元反应和相变反应组成。
1.非基元反应：
与仲钨酸根B（H2W12O4210-）相比，形成仲钨酸根A（HW6O215-）是一个快速的过程，但是始终受到氨挥发的影响。而仲钨酸根A到仲钨酸根B即使在较高温度下长时间陈化也不能完全转变。
2.相变反应
首先，结晶介质以（NH4）10H2W12O42.4H2O和H2O等分子或离子形式向生长界面扩散。再是聚结在生长界面的结晶介质进入晶格座位发生表面反应。然后放出结晶热并向外输送。
仲钨酸铵晶体的粒度很小，晶液的粘度也很小，扩散对相变反应的影响不大。当达到某一较小的极限搅拌转速时，晶体生长速率不再与转速有关。由于扩散速率很高，结晶过程可转由表面反应控制。结晶热一般较小，对过程的影响可以忽略不计。
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仲钨酸铵结晶过程的热力学
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- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年7月13日 星期一 14:59
- 作者：Cristina
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从溶液中生长晶体的最重要的平衡特征是溶解度，与固相处与平衡状态的溶液的浓度时饱和溶液浓度。饱和状态是从溶液中生长晶体必须的先决条件，溶液的状态如下图所示，整个温度-浓度图可分为稳定区，介稳区和不稳定区三个区域，三个区域以介稳定区最为重要。因为从溶液中生长晶体都是在此区域中进行。介稳区虽然无法精确测量，但它是客观存在的，其大小，趋向可以用过饱和度来估计。
晶体生长时一个复相化学反应，也是一个相变过程。当仲钨酸铵固体物质在钨酸铵溶液体系中达到饱和时，析出并处于平衡状态。仲钨酸铵是难溶物质，其溶解度仅为0.06-7.91%。实际浓度和饱和浓度绩效，过饱和度比很大，即结晶驱动力很大。自发生产结晶的趋势很强。且温度对仲钨酸铵溶解度影响不大。用蒸发排除一部分水使溶液得到过饱和状态的蒸发法，或是用使溶质转化为溶解度很小的物质而得到饱和的中和法，这两种析出仲钨酸铵晶体的方法都能实现。
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仲钨酸铵结晶过程的动力学
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- 分类：钨业知识
- 发布于 2015年7月13日 星期一 15:04
- 作者：Cristina
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结晶过程包括两个阶段：第一阶段是微小晶核的形成，即晶核形成。第二阶段是晶体的生成即晶核的长大阶段。仲钨酸铵晶体与一般的晶体生成过程一样，需经历晶核形成和晶核长大两个阶段的动力学过程。
晶核的形成速率公式如下：
其中，C为溶液过饱和浓度；C0为溶液溶解度；ΔC为溶液浓度差过饱和度；n为晶核形成动力学反应级数；K为晶核形成速度常数。
晶核长大速率公式如下：
其中V扩散为溶质扩散速度；d为扩散层厚度；S为晶体表面积；m为晶体长大动力学反应级数。
在仲钨酸铵结晶的过程中，要控制钨酸铵溶液浓度，以控制较低过饱和度，得到疏松，颗粒又很均匀的五个结晶水的仲钨酸铵晶体。
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稀土掺杂钨酸钙多晶粉的制备及其上装换性能研究的意义和背景3
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- 发布于 2015年7月13日 星期一 14:22
- 作者：xinyi
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稀土掺杂钨酸钙多晶粉的制备及其上装换性能研究的意义和背景：
上转换发光强度与激活离子和敏化离子的浓度有关，还与基质材料的种类有关。无机、有机和新型纳米材料均可用作上转换基质材料。玻璃、陶瓷、晶体等无机材料已经被广泛应用于上转换发光，现在发展迅速的纳米晶材料也开始进行上转换发光和激光研究。目前，随着半导体二极管泵浦源和激光技术的不断发展，以及在蓝绿激光在多个新型领域的驱动下，对上转换材料的研究不断深入，新型基质材料不断出现。现在，上转换激光已经覆盖从中紫外到可见的各个波段，上转换激光材料多数已经可以在室温下进行操作，上转换效率不断提高。最重要的是现在上转换激光已经在医学等领域获得了实际的应用。总之，上转换激光领域的迅猛发展归功于上转换激光材料的不断发展。在所有的上转换基质材料中，应用最广泛的是晶体材料。因此，获得适合上转换发光，有利于提高上转换发光强度的晶体材料已经成为当今上转换发光面临的主要问题。
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