大型積體電路經常使用鎢靶材進行真空濺鍍，尤其需要使用大尺寸的鎢靶材，目前的半導體領域中，大尺寸的鎢靶材的直徑為300mm～450mm，厚度為6mm～15mm。可是隨著半導體行業的發展，這種尺寸的鎢靶材已不能滿足工業需求。

在半導體工業中，靶材元件是由符合濺射性能的靶材及能與所述靶材結合並具有一定強度的背板構成。背板可以在所述靶材元件裝配至濺射基台中起到支撐作用，並具有傳導熱量的功效。例如，可以選用金屬鎢作為靶材，選用具有足夠強度，且導熱、導電性也較高的銅或銅合金材料作為背板以組成靶材元件。

大型積體電路經常使用鎢靶材進行真空濺鍍，尤其需要使用大尺寸的鎢靶材，目前的半導體領域中，大尺寸的鎢靶材的直徑為300mm～450mm，厚度為6mm～15mm。可是隨著半導體行業的發展，需要更大尺寸的鎢靶材。

仲鎢酸銨是製備鎢製品的重要原料。目前工業上生產鎢粉的工藝主要是先將仲鎢酸銨煆燒成藍鎢，然後在氫氣中進行還原製備鎢粉。這種方法制的鎢粉細微性大多在2～4μm之間，已成為在軍工和醫療器械等領域製備鎢合金的主要原料。

氧化鎢壓敏陶瓷是指電阻值隨著外加電壓變化有顯著非線性變化的半導體陶瓷。其具有非線性伏安特性，在某一臨界電壓下，壓敏電阻陶瓷的電阻值非常高，幾乎沒有電流，但當超過這一臨界電壓時，電阻將急劇變化，並有電流通過，隨電壓的少許增加，電流會很快增大。

為了進一步闡明氫化的效果和確定氧化鎢的表面化學狀態，我們對氧化鎢進行了X-射線光電子能譜分析。如圖所示是三種氧化鎢樣品的XPS全譜圖、W-4f譜圖和O-1s譜圖。從圖中可以看出，三種氧化鎢樣品中含有W元素，O元素和少量的C元素。其中C-1s峰的存在歸因於來自XPS儀器本身的非自然碳氫化合物。並且從全譜圖來看，三種樣品各峰無明顯變化。

等離子體共振效應是一種物理光學現象。它利用光在玻璃與氧化鎢薄膜介面處發生全內反射時滲透到氧化鎢薄膜內的消失波,引發氧化鎢中的自由電子產生表面等離子。在過去數十年中，局域表面等離子共振效應被簡單的認為是貴金屬納米顆粒的光學屬性，然而，隨著半導體和氧化物納米晶體中的 LSPR 的發現，這種觀點正在發生變化。關於半導體和氧化鎢材料的等離子共振效應多是通過摻雜貴金屬來實現。

氫氣環境中高溫退火是得到含有氧空位的非化學計量的氧化鎢結構的一種有效的方法。但是需要注意的是氫氣是一種易燃易爆氣體，在高溫下更是容易發生爆炸。而高溫條件又是必不可少的，它起到克服活化能障礙的作用。

為了進一步探究氫化後樣品的形貌和結構的變化，能夠通過透射電子顯微鏡對氧化鎢進行表徵。從圖中可以看出，氫化溫度為 300℃時，W-300 保持較好的形貌，為 100nm 左右的納米顆粒；而氫化溫度為 400℃時，W-400 尺寸明顯變小，均在 50 nm 以下。

氧化鎢超薄納米片的成型機理是由於臨界流體具有粘度小、溶解性強、擴散性能高和易於控制等特點。所以氧化鎢超薄納米片可廣泛應用於工業生產中。鎢酸在乙醇/水的混合溶液中溶解度很小，而表面活性劑作為表面活性劑和鎢酸之間具有較強的疏水相互作用。