晶片擴散阻擋層用鎢靶材

就下一代的晶片來說，其內部擴散阻擋層之所以用稀有金屬鎢靶材來生產的主要原因是，相對于傳統的靶材而言鎢靶材具有更優異的物理性能，如較高的熔點，較強的抗高溫能力，較大的電子發射係數以及良好的化學穩定性等。換句話來說，用鎢靶材製作的擴散阻擋層能使所製備的積體電路晶片擁有更長的使用壽命，進而減小用戶更換新產品的概率。

擴散阻擋層是積體電路晶片中的一個重要組成結構，其既能有效阻擋互連引線如Cu擴散到半導體如Si或SiO2中，又能極大增強互連引線與介質層之間的結合強度。另外，擴散阻擋層在晶片封裝方面也有一定的應用。因此，擴散阻擋層的選材以及如何選擇最佳的製備工藝等問題已經成為現今的研究熱點。

在擴散阻擋層的備選材料中，硼化物如硼化鋯（ZrB2）因有較低電阻率，較高熔化溫度、較好生物相容性以及優異力學性能等優點，而從眾多商用薄膜中脫穎而出。據材料研究者介紹，ZrB2在Si(111)、4h-SiC(0001)和Si(001)基底上均可以發生外延生長，晶格失配度小，有利於結構穩定，並且能抑制原子在ZrB2中的高溫擴散。不過，目前生產的ZrB2存在內部結構較為疏鬆的缺點，會降低擴散阻擋層阻擋效果。

隨著材料生產技術的不斷成熟，擴散阻擋層的備選材料也越來越多，如鎢靶材、鉬靶材等。鎢靶材是採用濺射工藝生產擴散阻擋層的。

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