半導體晶片用高純鎢靶材

高純鎢靶材是典型過渡金屬鎢的一種化工產品，其因純度高（大於99.95%），密度大（19.35g/cm3），蒸氣壓低，蒸發速度小，耐高溫性能好等特點，常用來生產厚度超小的氧化鎢薄膜。就目前火熱的半導體晶片來說，新型氧化鎢薄膜能很好的作為它的擴散阻擋層、粘結層和大型積體電路記憶體電極等，進而能顯著升高晶片產品的綜合品質。

高純鎢靶材是如何生產出氧化鎢薄膜的呢？濺射法是製備氧化鎢薄膜材料的主要技術之一，它通過高速運動的離子轟擊鎢靶材，產生的原子放射出來累積在基體的表面，形成鍍膜。利用靶材濺射沉積法生產的氧化鎢薄膜具有緻密度高，附著性好、耐腐蝕性能良好等優點，因而適合應用於半導體晶片中。

那鎢靶材應如何製作？將鎢粉末放入包套並抽真空，採用冷等靜壓工藝將包套內的鎢粉末進行第一次緻密化處理，形成第一鎢靶材坯料；第一次緻密化處理後，去除包套，採用感應燒結工藝將第一鎢靶材坯料進行第二次緻密化處理，形成第二鎢靶材坯料；第二次緻密化處理後，採用熱等靜壓工藝將第二鎢靶材坯料進行第三次緻密化處理，形成鎢靶材。利用該方法生產的鎢靶材，具有密度高，雜質含量低，機械穩定性強，內部組織結構均勻性好，以及晶粒尺寸較大的特點，能更好地滿足現代濺射工藝的要求。

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