積體電路柵電極用鎢靶材

據儲能科學家介紹，鎢靶材因有雜質含量低、熔化溫度高、結晶性好、高溫穩定性能強以及電子逸出功小的特點，而有望成為新一代積體電路柵電極的最佳生產原料。與以前的柵電極如SiO2相比，鎢靶材柵電極擁有更不容易出現漏電流的情況，進而能使最終所製備的積體電路的可靠度更高。

伴隨著器件尺寸的不斷縮小，柵極介質厚度和源漏間距進一步減小，而柵漏電流（其是指PN結在截止時流過的電流。）以及源漏間的漏電流卻急劇增加，在5nm以下，由於電子的隧穿效應，SiO2作為柵極介質所產生的漏電流已經無法讓工業界所接受了。為了克服這些問題，目前大多數製造商都是採用介電常數較高（high-k）的介質來替代傳統的SiO2介質。

高k柵介質能夠在保持柵電容不變的同時，增加柵介質的物理厚度，達到降低柵漏電流和提高器件可靠性的雙重目的。但是要找到合適高k材料並不是一件很容易的事。高k材料的選擇應考慮以下幾個問題：合適的k值；較高的禁帶寬度和導帶價帶能帶補償；與半導體接觸的熱穩定性要好；材料的薄膜性能要好，材料的相變溫度應儘量高，組分和結晶性要穩定等。

近幾年，隨著新型柵電極材料的不斷湧現，積體電路的漏電流問題已經得到了很好的解決。其中一款使用鎢靶材製作的柵電極的物理化學性能表現較為非凡，這主要源於金屬鎢是一種難熔金屬，具有良好的力學、光學、電學性能等特點。

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