化學氣相沉積(CVD)是利用氣體原料在氣相中通過化學反應形成並經過成核、生長兩個階段合成薄膜、粒子、晶須等固體材料的工藝過程。CVD技術有多種，如快熱CVD、等離子體增強CVD、低壓CVD等。採用CVD製備WO3薄膜也是一種常用的方法。Maruyama等用W(CO)6作為原料，加熱到60～100 ℃，產生蒸氣，再用載氣N2將產生的蒸氣以300cm3/min的流速載入，W(CO)6在反應室中分解，可使WO3沉積到基底上。後來Ma-ruyama又採用P-CVD(photo-CVD)方法對化學氣相沉積進行了改進，在沉積過程中加入一低壓汞燈，增加了WO3沉積率並提高了薄膜品質。化學氣相沉積法具有多功能、工藝可控、過程連續且產品純度高等特點，但成本高，規模擴大困難，不適合薄膜的工業化製備。

 

 

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