溅射镀膜法可分为直流溅射、射频溅射、反应溅射以及磁控溅射四种比较常见的方式。

 

直流溅射法，是最为简单的溅射方法，预镀材料为阳极、基片为阴极，通入氩气后在两极之间加入高压直流电，氩离子在高压电场作用下获得动能轰击靶材料，靶材产生溅射，沉积与基片表面性能薄膜。直流溅射法的结构简单而且容易获得大面积薄膜，但是直流溅射法所选的靶材料只能为金属或者低电阻率的非金属，而且基片的工作问题过高，薄膜的沉积时间长。

 

射频溅射法，在直流溅射的基础上将直流高压电改为交流电压，与直流溅射法相比射频溅射法具有一个突出的优点，可以溅射包括绝缘体、半导体、导体在内的任何材料。

 

反应溅射，在直流溅射与射频溅射的基础上，通入反应气体，如氧气、水、氨气等混合一定比例的氩气，溅射出的原子与反应气体发生化学反应生成化合物，沉积氧化物、碳化钨、硫化物等各种化合物薄膜，氧化钨薄膜的制备就是采用氧气作为反应气体、钨为靶材。以上三种溅射方式虽然理论上已经能制备出多种种类的薄膜如金属、非金属、导体与非导体、化合物薄膜，但是这三种方法仍存在制备时基片的温度过高，薄膜沉积的时间长和辐射损伤大等缺点。