ｎ型半導体WO3とｐ型半導体CuxBiyOzを質量混合比で2:1として調製した複合化光触媒の可視光吸収特性は以下のようになる：WO3はバンドギャップが2.7eVであり、吸収端は460nm付近に存在する。複合化光触媒の吸収端は800～900nm付近に存在し、吸収端の長波長シフトはｐ型半導体に起因する。

 

複合化光触媒におけるガスクロマトグラムのピーク面積比CO2/ N2の可視光照射時間依存性実験結果は：いずれの複合化光触媒においても、可視光照射時間に伴って、CO2濃度が増加しており、可視光応答性を示すことが明らかになった。

 

それぞれp型半導体単独、ｎ型半導体単独におけるピーク面積比CO2/N2の可視光照射時間依存性実験結果は：いずれの半導体も単独では、全く可視光応答性を発現しなかった。

 

ｐ型半導体では可視光吸収により生成する正孔の酸化力が弱く、ｎ型半導体では可視光吸収により生成する電子の還元力が弱いと考えられ、両者とも単独では電子－正孔の再結合が優先的に起こると考えられる。

 

 

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