【スパッタリング法】

 

スパッタリングは、固体表面（ターゲット）、固体の原子（または分子）表面から放出され、基板や薄膜形成方法の表面上に堆積された高エネルギー粒子の衝撃を指し、それは、物理的気相成長法の一種である。

 

スパッタリングは、RFスパッタリング、マグネトロンスパッタリング、反応性スパッタリング、中間周波数スパッタリングおよびパルススパッタリング、バイアススパッタリング、イオンビームスパッタリング及びパルスレーザースパッタリング法、直流スパッタリングに分割される。

 

その間、マグネトロンスパッタリングは堆積速度が高く、低い作動ガス圧力および他の固有の利点のために、最も広く採用される方法になる。

 

スパッタリング法は成膜速度高速、高純度の利点のために、より広く薄膜の製備方法になるが、設備が複雑で高価である。

 

【化学気相堆積法(CVD) 】

 

化学気相堆積法の原理は、化学反応及び乾燥材料によって形成された気相中で化学蒸着ガス供給を使用することである。W(CO)6は原料として反応室で分解し、基層で堆積したWO3を取る。化学気相堆積法は多効能性、工芸支配できるし、過程連続で、高い製品純度などの有利点があるが、コストが高くて、膨大困難ので、大規模な工業化の薄膜製備に適しない。

 

 

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