三氧化钨薄膜材料制备及其性能(二)

(二)蒸发法
 
利用物质在高温下的蒸发现象,可以制备各种薄膜材料。蒸发法具有一些明显的优点,包括较高的沉积速度、相对较高的真空度,以及由此导致的较高的薄膜纯度等。蒸发法包括蒸发冷凝法、电子束蒸镀法、电弧蒸发法、激光蒸发法、空心阴极蒸发法、热蒸发法等等,其中热蒸发法是使用比较多的方法之一。
 
有学者采用热蒸发法制备三氧化钨电致变色薄膜,以纯度为99.99%的钨粉为蒸发物质,抽真空至6~10mbar,蒸发速度用石英厚度监测仪和速度控制器控制在0.4nm/s,得到的薄膜样品的厚度为500nm左右,将薄膜样品在350、385、390、400、450℃下进行热处理,性能测试的结果表明在390℃薄膜开始由无定形态向晶体转变,在450℃完全转变为晶体结构,并分别测试了无定形和晶体薄膜的光学性质和结构。还有学者采用热蒸发法在三氧化二铝单晶薄膜上沉积三氧化钨薄膜,厚度约为40nm,薄膜分别在氧气和空气中进行退火处理,退火温度为460℃,时间为25min,在氧气或空气中进行退火处理后,薄膜的表面形态,颗粒大小等都发生了较大的变化。蒸发法制备的薄膜纯度高、颗粒分散性好。通过改变、控制气氛压力和温度,可制得颗粒尺寸不同的纳米薄膜,适合合成熔点低、成分单一物质的薄膜或颗粒。但该法成本高,不适宜制备大面积薄膜。
 
 
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