氧化钨纳米线材料

氧化钨是一种n型半导体，属于典型的过渡金属氧化物。作为一种功能材料，被应用于工业催化剂、电致变色、蓄电池电极、太阳能吸收材料、隐形材料、气敏材料等。尤其是在氧化物半导体气敏传感器应用领域，氧化钨基材料已被认为是检测NO_x、SO_x、NH₃、H₂S等最有前景的新型氧化物气敏材料之一。

与传统的氧化钨材料相比，氧化钨纳米线具有更大的比表面积，同时具有更大的表面活性和更强的吸附能力。它能加快与气体的反应，从而大大提高了灵敏度并进一步降低了传感器的工作温度。

但是目前，制备氧化钨纳米线的技术还存在制备工艺复杂、能耗大等诸多问题。针对目前在氧化钨纳米线材料制备过程中存在的问题，有学者通过简易的溶胶—凝胶法，大规模制备形貌奇特的氧化钨纳米线材料，其具体操作步骤包括：

1、配制溶胶

准确称量一定量的P123、WCl₆和优级纯无水乙醇，使P123、WCl₆和优级纯无水乙醇的重量比为0.5∶1∶10，先将称量好的P123溶于称量好的优级纯无水乙醇中并进行磁力搅拌直至P123溶解完全，同时进行磁力搅拌直至WCl₆完全溶解并形成淡黄色的溶胶。

2、填充AAO模板

将上述1中刚刚配制好的溶胶在-0.1Mpa的压力下填充在AAO模板内；

3、填充AAO模板后的前期处理

将填充溶胶后的模板分别用无水乙醇和去离子水冲洗3次后在真空干燥箱中于60℃干燥10小时；

4、设定烧结温度曲线

设定5小时的时间使气氛炉的腔室从室温升温至最高温度500℃，并在此温度保持5小时，然后从最高温度500℃自然降温至室温。

5、气氛烧结制备氧化钨纳米线

将干燥后的模板在高纯氩气气氛下于500℃保温烧结5小时，然后自然降至室温后取出样品便制得形貌奇特的氧化钨纳米线。

上述工艺制备方法和制备步骤非常简单，制备过程中的工艺参数容易控制，整个制备过程的能源消耗非常少，制备的氧化钨纳米线形貌奇特，具有大的比表面积。

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