硫化镉-三氧化钨复合光催化剂
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- カテゴリ: 钨业知识
- 2018年5月21日(月曜)17:45に公開
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硒化镉纳米晶是半导体纳米晶中研究最广泛,应用前景最好的一类II-VI族半导体纳米晶,由于其具有重要的非线性光学性质,发光性质及其他物理化学特性而备受世人的瞩目。
作为一种非常重要的半导体材料,已经在各种发光装置,激光与红外探测器件,红外窗口与非线性光学材料和光敏传感器等领域展示了广阔的应用前景。特别是硒化镉能很好地吸收可见光,因而它是光化学催化剂的首选材料。
硒化镉是禁带宽度为1.7eV的直接带隙半导体材料,具有立方闪锌矿和六方纤锌矿两种晶体结构,其中立方相结构为亚稳态,只能存在于较低温度,高温时转变为六方相结构。不过,硒化镉极易光腐蚀,光稳定性差,这就需要一种带隙较窄的材料去提升它的性能。
而三氧化钨就是这种材料,例如,有学者提出了一种硫化镉-三氧化钨复合光催化剂的制备方法,可以克服钨酸镉性能的不足。这种材料的合成方法如下:
(1)、三氧化钨的制备
称取硼化钨粉体150mg,将其放入装有8mL的2M氢氟酸水、乙醇混合溶液的(水、乙醇体积比为3∶4)、以聚四氟乙烯为内衬的不锈钢反应釜中。反应釜密封后,放入烘箱在190℃加热处理36h,取出反应样品,用去离子水清洗并在80℃烘干,得到氢钨青铜晶体,再700 ℃空气中热处理2h得到三氧化钨;
(2)、将氯化镉和3-巯基丙酸按照1:1.65摩尔比溶解在去离子水中,形成混合溶液,然后在混合溶液加入三氧化钨,通氮气除氧30分钟后,继续加入硫代硫酸钠,混合均匀后用1mol/L的氢氧化钠溶液调节pH至9,并在200℃反应1.5小时;
(3)、离心、洗涤并烘干获得硫化镉-三氧化钨复合光催化剂。
所获得的硫化镉-三氧化钨复合光催化剂具有较高的光催化活性和稳定性,将上述所制得的成品用于环丙沙星废水的光催化剂降解测试,最终计算出其综合降解率达到88%以上。
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