2H相单层二硫化钨纳米片制备

二硫化钨与二硫化钼结构相同，都是典型三明治层状结构，由于其层间相对较弱的范德华力，也可以剥离成单层或少层数的纳米片，被认为是另外一种相当重要的二维纳米片材料，具有独特的物理、化学和电学特性。

有关于二硫化钨的研究越来越多，一般认为，二硫化钨存在三种相态， 即1T、2H和3R相，其中，1T相是WS₂以一个S-W-S单分子层作为最小重复单元堆叠，而2H和3R 相是以两个和三个S-W-S单分子层作为最小重复单元堆叠。自然界中大部分WS₂是以2H稳定相存在的，1T和3R相属于亚稳态结构，在一定条件下可以转变为2H相。由于单层2H相的WS₂已经失去了双分子层为最小重复单元的特性，因此也被称为1H相。在应用中，2H相单层二硫化钨纳米片展现出良好的半导体特性，被应于研究超级电容器、晶体管等半导体设备。2H相单层二硫化钨纳米片的制备方法包括以下步骤：

分别称取0.004mol的醋酸锂和0.002mol的硫代钨酸铵，在玛瑙研钵中混合研磨1h，将研磨后的混合物置于刚玉坩埚中，放置在管式炉中，通氩气保护，程序升温至200℃，保温10h，然后继续通氩气自然降温至室温，得到插锂的2H相硫化钨（Li₂WS₄）块体；将插锂的硫化钨块体置于盛有50mL去离子水的容器中，超声分散10min，分散后的悬浮液在转速为 1000r/min的离心机上离心分离沉淀；将去除沉淀后的悬浮液在转速为10000r/min的用离心机上分别用水和乙醇离心洗涤3次去除Li₂S等可溶性杂质，将洗涤后的沉淀物超声分散在100mL无水乙醇中，其中2H相单层WS₂的浓度约为0.8mg/mL，经原子力显微镜检测其厚度为0.80nm，X-光电子能谱显示为2H相。

通过上述方案所得到的2H相单层二硫化钨纳米片的厚度小于1nm，可用于超级电容器、液晶显示屏、光催化剂等半导体新材料的研究。

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