高纯钨粉制取钛钨靶材

物理气相沉积（PVD，PhysicalVaporDeposition）被广泛地应用在光学、 电子、信息等高端产业中，例如：集成电路、液晶显示器（LCD，LiquidCrystal Display）、工业玻璃、照相机镜头、信息存储、船舶、化工等。PVD中使用的合金靶材则是集成电路、液晶显示器等制造过程中最重要的原材料之一。

钨钛靶材是一种比较典型的合金靶材，大规模半导体集成电路、太阳能 电池等都会使用钨钛靶材进行PVD镀膜，形成阻挡层。就目前而言，对于溅射用的钨钛靶材的要求通常为钨钛靶材纯度≥99.9％，相对致密度≥99%，微 观结构均匀，无裂纹缺陷。

随着PVD技术的不断发展，对合金靶材需求量及质量要求日益提高，合金靶材的晶粒越细，成分组织越均匀，其表面粗糙度越小，通过PVD在硅片 上形成的薄膜就越均匀。此外，形成的薄膜的纯度与合金靶材的纯度也密切相关，故PVD后薄膜质量的好坏主要取决于合金靶材的纯度、密度、晶粒度、微观结构等因素。

制备半导体溅射用的钨钛靶材包括以下步骤：通过在模具中装入高纯钨粉和钛粉的混合粉末，然后对所述混合粉末进行冷压成型处理，形成钨钛靶材坯料， 再将所述钨钛靶材坯料进行真空热压烧结处理，形成钨钛靶材。其中，所述真空热压烧结处理包括：将真空热压炉抽真空至绝对压强100Pa以下，以5 ℃/min~10℃/min的升温速度升温至900℃~1100℃，保温60min~90min。然后 充入惰性气体至所述真空热压炉的相对气压为-0.08MPa~-0.06MPa。最后以 0.1MPa/min~0.4MPa/min的加压速度加压至最大压强，以5℃/min~10℃/min 的升温速度升温至最高温度，所述最高温度在1100℃~1250℃之间，所述最大压强在20MPa~30MPa之间，在所述最大压强和所述最高温度条件下保温保压 30min~60min。

新的钨钛靶材制造方法工艺步骤少，生产速度快。能够获得了致密度大于或者等于99%的钨钛靶材，并且所获得的钨钛靶材微观 结构均匀，具有优异的溅射使用性能。

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