缓冲层和生长温度对由金属有机化学气相沉积生长在蓝宝石衬底上的未掺杂氮化镓层的特性的影响

详细资料: 分类：蓝宝石长晶炉-钨制品新闻; 发布于 2014年1月21日星期二 11:45; 点击数：1972

在氮化镓薄膜的电性能的低温缓冲层厚度的影响进行了研究，并且表面形貌也审查通过原子力显微镜。最佳表面形貌不显示最佳的电气性能，这可以归因于对蓝宝石衬底的正常增长机制氮化镓薄膜。的生长温度为最后的氮化镓层的影响也被研究。当生长温度升高到1100 ℃时，流动性大大增强， 600平方厘米/ V s的3.3 × 1016/cm3在室温下具有背景载流子密度。近带隙态激子在低温下的发光能量示出了具有增加的生长温度，由于增强的热应力蓝移。基于热应力模型的计算非常吻合与光致发光测量。这一结果可以部分解释，在不久的带隙激子发射能量先前公布的数值是分散的原因。

生长在蓝宝石外延的氮化镓层包含一个非常大的密度缺陷（线位错，层错，反相畴界），这些缺陷已经完成了基础堆垛层错用高分辨透射电子显微镜的分析。两个断层， I1和I2，进行了鉴定。的I1故障的形成是基于（ 1/3） langle11 - 20rangle的完美的位错或爬升解离过程而I2故障是由于导致的局部结构的剪切位错环。

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