在蓝宝石基板及其示范的DC-DC转换器应用高击穿电压掺杂AlGaN-GaN功率HEMT

未掺杂AlGaN-GaN功率高电子迁移率晶体管（HEMT ）与470 -V的击穿电压蓝宝石衬底被制造并表现为一个高电压的DC-DC转换器的主开关装置。所制造的功率HEMT实现高击穿电压与场板结构和3.9 MΩ·厘米²，这比传统的硅的MOSFET 10×下的低通态电阻。使用该制造装置在300 V的输入电压，这些结果表明在AlGaN-GaN功率HEMT器件的蓝宝石基板为未来的开关电源装置的有前途的可能性的降压斩波器电路的DC-DC转换器的操作被证明。

氮化硅钝化的AlGaN / GaN异质结场效应晶体管（ HJFETs ）上制备薄化蓝宝石基板。在50 / SPL亩/米厚的蓝宝石一个16毫米宽的HJFET展出22.6 W（ 1.4 W /毫米） CW功率， 41.9 ％的PAE ，并在26 V漏极偏置9.4分贝线性增益。此外， 32毫米宽的装置，根据脉冲操作测量，证实113 W（ 3.5 W /毫米）脉冲功率在40 V漏极偏置。据我们所知，113 W的总功率是最高的实现氮化镓上任何基材，建立氮化镓上稀疏的蓝宝石技术的有效性。


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