中韩研究人员利用WS2开发下一代半导体

据ANI援引《全球经济》报道，韩国基础科学研究所（IBS）下属的多维碳材料中心（CMCM）宣布，一个研究小组发现了影响大面积单晶二氯化物生长的核心原理。研究人员与一个中国研究小组合作，成功地将二硫化钨（WS₂）等核心二氯化物材料生产为晶圆级单晶过渡金属二氯化物（TMD），为开发下一代半导体奠定了良好的基础。

TMD是由硫（S）、硒（Se）和碲（Te）等黄铜分子以及过渡金属组成的下一代半导体。由于由两种元素组成的TMD的结构对称点在外围而不是中心，因此在制造过程中选择基材成为问题。

据该研究小组称，“双耦合引导的外延生长方法，是一种为TMD选择最佳衬底的方法。研究小组还指出，二硫化钨更倾向于两个反向平行结构，所有在衬底上的台阶边缘形成的WS₂可以利用蓝宝石衬底绝缘体以单一方向排列。

此外，二硫化钼、二硒化钨和二硒化钼等TMD也由合作研究小组在2英寸的大面积晶圆上成功生产。这项研究结果发表在科学权威杂志《自然-纳米技术》上，其研究成果已经被评估为大大加快了硅之后的新半导体材料的商业化进程。

中韩研究人员利用WS₂开发下一代半导体将大大推动下一代晶片的商业化进程。本月初，韩国跨国电子公司三星电子和SK海力士向美国政府提供了其业务数据。三星电子和SK海力士于11月9日向美国商务部提交了与库存和销售有关的数据。

9月早些时候，美国商务部曾要求半导体设计、制造、供应和分销公司提交商业数据。在一份官方声明中，三星电子表示，除了敏感的机密信息外，该公司以适当的方式向美国政府提交相关数据，以保护客户关系中的信任。

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