钨具有高熔点、优良的导热性能、低溅射产额和高自溅射阈值、低蒸气压以及低的氚滞留性能，被认为是当今聚变实验装置和未来聚变堆最有希望的偏滤器和第一壁的面对等离子体材料。

钨作为一种耐高温的金属材料，被用于节能灯的灯丝或者电极以及作为各种电子发射极。但钨本身存在易脆和可塑性低的问题，这大大减小了其使用过程中的寿命。为降低钨的脆性以及提高其可塑性，传统的方法通过在钨内添加稀土金属形成钨基合金增加其性能。

二硒化钨(WSe2)是一种类石墨层状结构的半导体材料，以Se-W-Se密排六方紧密堆积而成的晶体,依靠范德华力结合成单层二维材料。WSe2薄膜材料的禁带宽度为1-2eV，并且对可见光吸收效率特别高，可以作为太阳能电池的吸收层和光电化学电极材料。

“除钼渣”是指生产仲钨酸铵过程中，往解析高峰液中加入除钼剂后，产生以硫代钼酸盐为主的沉淀总称。因为钨和钼的特性相近，所以除钼过程中，往往也会有少量的钨被带到除钼渣中。