用等离子体弧生产球形碳化钨的装置
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- 分类:钨专利技术
- 发布于 2013年5月23日 星期四 09:49
- 点击数:2978
本发明介绍一种用等离子体弧生产球形碳化钨的装置。包括等离子体枪,其特征在于:
1)在水冷炉体上部壁面上设有导向套Ⅰ,在导向套Ⅰ内安装有等离子体枪装置,在水冷炉体上部壁面的另一侧焊接有固定导向套Ⅱ,在固定导向套Ⅱ内安装旋转送料装置;
2)在水冷炉体中部空腔内安装有冷却盘,该冷却盘下面安装有旋转空心轴,该旋转空心轴通过皮带轮、三角皮带与齿轮箱相连,齿轮箱与调速电机相连;
3)水冷炉体的下部连接有落料仓,该落料仓下面安装有电动回转阀,该电动回转阀与出料口相连;
4)在水冷炉体的顶部安装有水冷排气管,该排气管顶部留有排气口;
5)水冷炉体的内外壁面之间设有数个导流板;
6)在水冷炉体下部外壁面上设有进水接口,上部设有出水接口,在水冷炉体下部壁面上还设有进气口;
7)在水冷排气管的外壁面设有进水接口和出水接口。
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尺寸可控纳米级碳化钨的制备方法
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- 分类:钨专利技术
- 发布于 2013年5月23日 星期四 09:43
- 点击数:3889
本发明提供一种纳米级碳化钨的制备方法。 步骤如下:
1)采用气固相反应制备纳米量级的碳化钨,即首先制备活性钨酸;
2)然后在一氧化碳(CO)气氛中反应,得到纳米级的碳化钨。
本发明提供的纳米级碳化钨的制备方法可以用煅烧温度和煅烧时间控制生成的碳化钨的粒径,且制备方法简单,成本低,原材料易获得,实用性强,易于推广应用。
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碳化钨、碳化钛超细粉的常温合成方法
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- 分类:钨专利技术
- 发布于 2013年5月23日 星期四 09:39
- 点击数:3089
本发明提供一种碳化钨、碳化钛超细粉的常温合成方法。步骤如下:
1)首先将W50at%和C50at%或Ti50at%和C50at%原料粉混合;
2)再将上述混合原料粉放入搅拌式高能球磨机中抽真空至10-2~10-3乇,并充入氩气保护,其压力控制在0.8~1.3atm范围,然后,启动高能球磨机,其转速为80~350rpm,反应温度为室温,反应时间为5~19h,卸料即可。
本发明提供的碳化钨、碳化钛超细粉的常温合成方法工艺简单,成熟,粒度可细化至1~0.5μm,晶粒可细化至纳米级(10~25nm),投资少,可推广应用。
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碳化钨、碳化钛超细粉的常温合成方法
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- 分类:钨专利技术
- 发布于 2013年5月23日 星期四 09:38
- 点击数:3254
本发明提供一种碳化钨、碳化钛超细粉的常温合成方法。步骤如下:
1)首先将W50at%和C50at%或Ti50at%和C50at%原料粉混合;
2)再将上述混合原料粉放入搅拌式高能球磨机中抽真空至10-2~10-3乇,并充入氩气保护,其压力控制在0.8~1.3atm范围,然后,启动高能球磨机,其转速为80~350rpm,反应温度为室温,反应时间为5~19h,卸料即可。
本发明提供的碳化钨、碳化钛超细粉的常温合成方法工艺简单,成熟,粒度可细化至1~0.5μm,晶粒可细化至纳米级(10~25nm),投资少,可推广应用。
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氧化钨微米管及其制备方法
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- 发布于 2013年5月22日 星期三 18:34
- 点击数:3302
本发明提供一种氧化钨微米管及其制备方法。所述的微米管截面呈六重对称,直径为1至6微米,长度为5至10微米。步骤如下:
1)将钨基底和水分别置于可加热的反应腔室中;
2)通入保护气体,除去反应腔室内空气,并使腔内压强保持在0.35至0.45MPa之间;
3)加热,使反应腔室内温度达到1100~1300℃,并保持30~45分钟,在钨基底上生长氧化钨微米管,其化学成分为WO3.xH2O;
4)反应腔室内温度自然降至室温,微米管的化学成分由WO3.xH2O脱水而成为六角型氧化钨:h-WO3。
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用钨粉制备含钨杂多酸的方法
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- 分类:钨专利技术
- 发布于 2013年5月22日 星期三 18:27
- 点击数:3289
本发明提供一种用钨粉制备含钨杂多酸的方法。步骤如下:
1)使双氧水与钨粉在0~80℃之间接触,直至钨粉溶解,形成过氧钨酸溶液;
2)保持溶液在0~100℃,向溶液中加入还原剂直至钨酸完全沉淀,过滤,水洗;
3)使钨酸沉淀与含氧酸接触,待钨酸沉淀完全溶解后蒸发结晶,获得含钨杂多酸。
本发明提供的用钨粉制备含钨杂多酸的方法与现有技术相比,本发明工艺简单,生产过程不使用大量高浓度强酸和易燃性有机萃取剂,产品不含其它阳离子杂质,含钨杂多酸的收率高。
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高纯度、高密度烧结氧化钨材料
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- 发布于 2013年5月22日 星期三 18:24
- 点击数:3410
本发明介绍一种高纯度、高密度烧结氧化钨材料。本发明属于无机化学非金属元素;其化合物。本发明公开了一种新型的致密的氧化钨材料的制备。其特征在于:
不添加任何烧结助剂而使氧化钨烧结致密化,从而使这种烧结氧化钨的纯度高于99%,密度大于6.7g/cm3。
本发明介绍的高纯度、高密度烧结氧化钨材料可作为氧化钨镀膜用靶材、宽带半导体材料等在光学玻璃、平板显示、光电转换、电致变色、光致变色等领域有广泛的应用。
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低松比钨酸的制备方法
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- 发布于 2013年5月22日 星期三 18:21
- 点击数:3092
本发明提供一种低松比钨酸的制备方法。步骤如下:
1)浓缩,将精钨矿经过球磨、碱煮、净化工序产出的净钨酸钠溶液在70~120℃温度范围内进行浓缩,使浓缩的净钨酸钠溶液中三氧化钨浓度达到110~160g/;
2)酸化,将浓缩的钨酸钠溶液与氯化钙反应生成的钨酸钙沉淀经调浆后按三氧化钨量的0.1~0.6%加入控制钨酸粒度长大的偏钒酸铵添加剂,再加入到80~100℃盐酸中进行10~30分钟的酸化反应,生成钨酸沉淀;
3)烘干,将钨酸沉淀经洗涤脱水后在80~130℃温度范围内,进行烘干,烘干6~10小时,制得低松比钨酸。
本发明提供的低松比钨酸的制备方法得到的产品具有松比低、颗粒细、溶解性好,添加剂原料价廉易得,采用蒸汽、抽真空替代电加热烘干,生产成本低等特点。
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偏钨酸铵粉末的生产方法
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- 发布于 2013年5月21日 星期二 09:44
- 点击数:3297
本发明提供一种偏钨酸铵粉末的生产方法。步骤如下:
1)蒸发结晶:将按常规方法生产的偏钨酸铵溶液送入蒸发结晶槽内间接加热,在沸腾温度下蒸发结晶,蒸发过程中加硝酸将料液的pH值控制在2.0~5.5之间,当料液密度达到2.5g/cm3或结晶率达到80%时,停止加热,冷却后过滤得含游离水的偏钨酸铵晶体物料;
2)脱游离水:将由1工序所得物料送入远红外钢带加热炉内,在50~70℃温度范围内由低至高、逐渐升温,脱水处理40~80分钟至物料中游离水含水率为3~5wt%止;
3)干燥、包装:将经2工序脱水处理后的物料再送入远红外钢带加热炉内,在100~170℃温度范围内由低至高、逐渐升温,干燥处理50~90分钟,冷却后过筛、包装即成。
本发明提供的偏钨酸铵粉末的生产方法由于采用蒸发结晶将磷、硅等杂质通过母液除去,再经两次远红外加热分别脱除游离水和干燥处理,而具有温度调节方便、准确,水分子从物料内向外驱出,脱水、干燥均匀、不结块,所得产品纯度高、质量好、粉末细且均匀,热效率及生产率高,较背景技术节能40%左右,生产成本及操作人员劳动强度低等特点。克服了背景技术或含杂量高
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仲钨酸铵结晶方法
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- 发布于 2013年5月21日 星期二 09:28
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本发明提供一种仲钨酸铵结晶方法,涉及一种采用湿法冶金方法生产钨酸铵的方法。步骤如下:
1)将钨酸铵溶液蒸发浓缩至有微小晶粒出现时,在钨酸铵溶液加入仲钨酸铵晶种,溶液温度90~95℃下恒温结晶20~40min后,再加热至沸腾;
2)滴加稀氨水调节钨酸铵溶液pH值8.0~8.5,蒸发至母液密度为1.08~1.10g/cm3时,放料,过滤,再经稀氨水、去离子水洗涤,烘干,得到大颗粒、分布均匀的仲钨酸铵晶体。
本发明提供的仲钨酸铵结晶方法生产出的仲钨酸铵结晶均匀、光滑、颗粒粗大,粒度可控,工艺简单易行。
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