稀土在钨电极燃弧过程中的扩散迁移
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2016年7月08日 星期五 17:25
- 作者:yiping
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稀土可以有效降低电极表面的逸出功,降低电极的工作温度,不仅可以促进电子发射,也可以提高焊接性能。因此,稀土在钨电极工作时的最大作用就是降低表面逸出功,促进电子发射。但是目前对这种电极发射机理却又很多不同的解释。对于钍钨电极来说,在燃弧过程中氧化钍被还原成单质钍,所以在电极的表面覆盖着一层钍原子,钍原子的逸出功较低,因而电极表面的逸出功也较低,促进了电子的发射。但是经过热力学计算发现,稀土电极跟钍钨电极的发射机理不同,在燃弧的过程中稀土是不会被还原的,因而原子层发射机理无法解释稀土钨电极的稀土的迁移行为。
通过高温模拟,对稀土的扩散迁移进行研究。从测试图可以看出稀土Ce在850℃的时候,其在钨基体中的含量已经远超过其理论含量。这说明在升温前,Ce已经向电极表面扩散,随着温度的升高,其含量得到缓慢的增加,在1100℃达到了最大值。但随着温度继续升高,其蒸发速率大于其表面的扩散速率,因此含量开始下降。
稀土La在850℃就开始向表面扩散。在1050℃时,La向表面扩散的速率与蒸发速率达到了平衡,其中La含量达到了最高值25%。当温度上升至1200℃时,La的蒸发速率高于表面扩散速率,含量开始降低。
在稀土钨电极中,其含量的变化主要是由La、Ce和O的变化引起的。对于O而言,在850℃-1200℃,电极表面O是缓慢上升,在1000℃时达到最高值。
结合燃弧过程中电极形貌的变化可知,电极尖端的温度很高,所以在高温的作用下可以促进稀土向表面扩散。其中Ce最先开始迁移,且速率最快。因此在燃弧时,Ce最早开始扩散,在表面形成活性层,促进电子发射,使起弧成功。而La扩散的比较晚,其的是稳弧的作用。而O的作用主要在引弧初期,一部分O用于表面活性层的形成,另一部分则可以与钨反应,生成气态氧化物挥发或者沉积到电弧的尖端,形成凸起,有利于高频引弧和稳弧。
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