随着工业技术和科学技术的发展，许多行业对钨粉的纯度要求越来越高，如高纯钨或超纯钨(5N或6N)具有对电子迁移的高电阻、高温稳定性以及能形成稳定的硅化物，在电子工业中以薄膜形式用作栅极、连接和障碍金属。

 

 

日本山口悟等人报道，东芝公司钨精炼厂横滨金属和化合物分厂在1990年前后，为了提高产品质量，试图降低金属钨和钼中的杂质含量。特别是对用作半导体的配线用材，要求将钨粉和钼粉的纯度从通常的3N提高到5N以上。该厂采用了用酸分解通常的钨粉和钼粉，然后通过离子交换法精制，得到高纯度的氧化物。将高纯氧化物进氢还原，即可得到超高纯度的钨粉和钼粉。其生产流程如附图所示，超高纯钨粉和钼粉的化学成分与普通钨粉和钼粉的比较见表1。

 

文献著者未对酸分解和离子交换的情况作具体介绍。估计他们在酸分解钨粉和钼粉时，采用了双氧水、HNO₃+HF或HF+H₂SO₄+HNO₃之类能溶解钨粉和钼粉的酸类，使钨和钼以阴离子形态进入溶液中，然后再用阴离子交换树脂进行净化。

 

从1988年以来，用作溅射靶材的钨纯度在不断提高。用物理气相沉积法(PVD)生产的钨薄膜和溅射靶材，纯度为6N，已用于工业生产。

 

为制备高纯和超纯钨，最好选用含U和Th低的仲钨酸铵作原料。因为在所有的杂质元素中，要求U和Th的含量应特别低。这些天然放射性元素因具有a射线，在记忆回路中可引起“软误差”。

 

含U和Th低的仲钨酸铵，可通过多次再结晶的办法除去其他杂质，得到超纯仲钨酸铵。后者经煅烧得到WO3，经氢还原得到超高纯度的钨粉。文献给出了超纯W和WSix粉末的分析数据(见表2)。这种W粉可用来生产W、WSix或TiW的溅射靶材。

 

通过压形、烧结和电子束悬浮区域熔炼，可以进一步将U和Th以外的杂质含量进一步降低。

 

显然，在高纯的生产过程中，厂房内应保持高度清洁，以减少产品中的杂质。