三氧化钨薄膜的红外发射率调制技术
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- 分类:钨业知识
- 发布于 2015年4月15日 星期三 14:49
- 作者:zsq
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绝对温度不为零的物体都存在红外辐射,物体的红外辐射由两个因素决定:物体表面材料的发射率以及物体表面的温度。物体的红外发射率(也叫比辐射率)是指该物体在指定温度T时的辐射量与同温度黑体的相应辐射量的比值。发射率越大,表明该物体的辐射能力越强。在物体温度一定的情况下,物质表面的发射率越大,其红外辐射能力也就越强。就目前情况而言,所能见到的材料,其发射率基本上都是固定的,各类介质的发射率较高,金属等良导体的发射率较低。在许多情况下,需要控制目标的红外辐射:如卫星的热控制、建筑物的节能、太阳能的利用、保温、军事目标红外辐射的控制等。如果能控制目标的红外发射率,就能很好地控制目标的红外辐射。进而言之,如果能用某种方式对发射率进行动态调节,就可以随时改变目标的红外辐射特性,目标可以做成随外界环境变化的“红外变色龙”,其应用范围可以得到极大的扩展。目前国内外有些研究工作已经涉及到了物质发射率的控制,与此类似的研究中,研究电致变色器件的工作更多,主要集中在可见光波段。
从电磁场基本理论出发,可知道材料的发射率与材料的折射率具有密切的关系,同时又与材料中载流子的浓度有关。当材料中载流子的浓度发生改变时,材料的发射率也将发生变化。通过对WO3中载流子的注入和抽取,可发现WO3薄膜红外光谱反射率的变化。通过改变薄膜中载流子的浓度,可对材料的红外光谱反射率和发射率进行调制。薄膜中载流子的浓度可通过一些电化学的手段加以控制,目前这种控制只能在实验室中进行。具有实用功能的器件应该是全固态电致变发射率器件,可通过多层膜复合的手段制备完成,这是未来电致变发射率器件的发展方向。
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