氧化钨半导体电池制备方法（二）

作为低维度过渡金属氧化物的典型代表，氧化钨粉末不仅可以用来制备钨制品，还可以用来生产半导体电池。下面，主要介绍的是氧化钨半导体电池的制备方法：

（1）称取一定量的氧化钨粉体于玛瑙研钵中，加入适量的添加剂、活化剂、导电剂，充分研磨均匀，再滴加百分比浓度为5-15%的有机聚合物成膜剂数滴研磨制成氧化钨半导体电池浆料：（2）将浆料注入到平面电极、平面叉指型电极表面，或者注入到立体电 极对、串联式立体电极对之间，室温下慢慢地晾干、封装，制成氧化钨半导体电池，测量其开路电压和短路电流。

该方法所用的添加剂是乙二醇、丙三醇、异丙醇和正丁 醇等小分子醇类；所用的活化剂是Li+、K+、Na+、NH4\ Ag+等一价离子化合物，且活化剂的浓度为0.1-0.5摩尔每升；所用的导电剂是碳纳米管、C60或石墨烯，以无水乙醇为介质，配制成浓度为0.1-1%的悬浮液；所用的导电剂是有机导电聚合物，例如聚 苯胺液体；所用的有机聚合物成膜剂是聚乙烯醇、聚合度为IO5-IO7的聚环氧乙烷(PEO)、甲基纤维素、乙基纤维素、聚丙烯酰胺和壳聚糖等，且其百分比浓度为5-15%。

氧化钨原料的制备方法：以99.9%通过300目的金属钨粉，加双氧水和适量的酸在40-80°C搅拌条件下反应1-3小时得到淡黄色沉淀，经抽滤、洗涤到中性，用无水乙醇淋1-3次，100-120°C烘1-3小时，得到粉体，再经400-600°C煅烧1-4小时得到淡黄色氧化钨，最后经气流粉碎或者球磨得到超细淡黄色氧化钨粉体。

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