氧化钨半导体电池制备方法（一）

氧化钨是一种N型半导体金属氧化物材料，由于具有非常优异的光学性质、电学性质以及稳定的半导体性能，目前已广泛用于光催化降解水制氢气、光催化剂、蓄能材料、吸波材料以及气敏组件等很多领域。那氧化钨半导体电池的制备方法怎么样的呢？

氧化物半导体电池，是根据氧化钨具有半导体特性而提出来的。其是以氧化钨为原料，加入导电剂、活化剂、添加剂和有机聚合物成膜剂制成氧化钨半导体电池浆料，并以不同功函数的两种金属箔为正负电极，正负电极粘贴在塑料底片的同一水平面上，然后将氧化钨是半导体电池浆料注入电极表面，经晾干、封装，便制成氧化钨半导体电池。

氧化钨半导体电池的制备具体操作如下：

（1）称取一定量的氧化钨粉体，加20-30倍的去离子水，快速搅拌，充分分散，滴加适量的添加剂、活化剂以及导电剂，充分搅拌，再加入百分比浓度为5-15%的有机聚合物成膜剂，搅拌均匀，然后在40-80°C条件搅拌浓缩，制成氧化钨半导体电池浆料；

（2）将电池浆料注入到平面电极、平面叉指型电极表面，或者注入到立体电极对、串联式立体电极对之间，室温下慢慢地晾干、封装，制成氧化钨半导体电池，测量其开路电压和短路电流。

氧化钨原料可以是市售的氧化钨原料，也可以是自己制备的氧化钨原料。氧化钨原料制备方法：以99.9%通过300目的金属钨粉放在坩埚或者陶瓷蒸发皿中，并在高温500-600°C煅烧1-4小时，得到淡黄色氧化钨，再经气流粉碎或者球磨得到超细淡黄色氧化钨粉体。

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