二硫化钨/一水合三氧化钨异质结

二硫化钨/一水合三氧化钨异质结是一种由二硫化钨和一水合三氧化钨通过共价键于面内无缝接连接形成的横向异质结，其在光催化半导体纳米复合材料领域具有较大的潜力应用价值。

二硫化钨/一水合三氧化钨（WS₂/WO₃·H₂O）异质结制备过程如下：

1.SC CO₂辅助剥离二硫化钨，以制备单层或少层二硫化钨。

（1）将50 mg WS₂粉末分散于10 mL无水乙醇和水的混合溶液，在冰水浴中持续超声该混合物2 h；

（2）与此同时，加热反应釜至40℃，然后将超声结束的混合物迅速转移至反应釜中，开启搅拌装置；

（3）随后将二氧化碳充入反应釜中直至压强达到16 MPa，整个剥离过程保持温度和压力不变；

（4）在SC CO₂中反应3 h后，将系统中的二氧化碳排出并收集样品，将所得的悬浮液继续在冰水浴中超声分散3 h，然后在转速为3000 rpm的条件下离心，时间设置为15 min。

（5）离心结束，成功制得清液，即单层或少层二硫化钨。

2.氧化法制备WS₂/WO₃·H₂O异质结。

（1）剥离后得到的单层二硫化钨纳米片暴露出了更多的活性位点，其水溶液在室温下更易与空气中的氧气反应生成一水合三氧化钨。以下是二硫化钨发生氧化反应可能的化学方程式，即在常温下，剥离后清液中的二硫化钨与溶剂中的水合空气中的氧气发生反应，生成三氧化钨和硫酸。

2WS₂+90₂+4H₂0=2WO₃+4H₂SO₄

（2）而多层的纳米片在该反应中一直保持惰性，不被氧化，从而制得WS₂/WO₃·H₂O横向异质结结构。

二硫化钨纳米片中的WS₂/WO₃·H₂O异质结能够有效降低光生电子-空穴重组率，延长光生载流子的寿命，为获得光催化半导体纳米复合材料提供了参考。此异质结制备方法简单方便，在常温下就能实现。

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