如何制备铜沉积二硫化钨薄芯光纤？

某种马赫——曾德尔干涉型气体传感器使用铜沉积二硫化钨薄芯光纤以实现低浓度硫化氢气体的检测。由于该薄膜直接影响气体传感器工作质量，因此其的制备至关重要。

薄芯马赫——曾德尔气体传感器采用包层直径125 m，纤芯3 m的薄芯光纤（Nufern-460），将薄芯光纤与单模光纤对接耦合，采用光纤熔接机（古河，S178C）得到。其中，选取9 mm薄芯光纤作为敏感涂覆元件，中间薄芯光纤区域作为干涉传感区域，铜沉积二硫化钨薄膜包裹于薄芯光纤外包层。光源端（ASE）中有单模光纤与薄芯光纤对接耦合，光谱分析仪（OSA）用来获取干涉光信息。其中，铜沉积二硫化钨薄膜直接决定薄芯光纤工作性能和传感器工作质量：它能够在传感器使用过程中敏感吸附空气中的硫化氢气体，从而实现对低浓度硫化氢气体的检测。

那么铜沉积二硫化钨如何制备呢？具体过程如下：

1.将0.3 g二硫化钨粉末在40 mL的异丙醇中分散，采用磁力搅拌器搅拌约30 min，使二硫化钨充分在异丙醇中分散得到较高浓度的二硫化钨分散液；

2.将剥除后的光纤浸入到二硫化钨的分散液中，沉积涂覆0.5 h；

3.使光纤在管式马弗炉中通氮气保护加热至400℃，恒温5 h，通氮气速率为100 mL/min；

4.首次在光纤表面成膜后，在二硫化钨分散液中加2ml、纯度为99.9％ 的纳米铜溶液，超声30 min，并浸涂0.5 h；

5.将上述成膜光纤在管式炉中加热至200℃，恒温5 h；

6.成功制得完整的铜离子沉积二硫化钨膜包覆的薄芯光纤。

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