缺陷氧化钨纳米材料

不同于化学计量型的氧化钨的颜色，缺陷氧化钨纳米材料呈浅绿色或者蓝色，并在400-700 nm 之间有一个额外的宽带吸收。这个增加的吸收峰是由于氧空位的存在导致导带增加了一个新的能带。

实际上，除了电子从价带到导带的跃迁外，还包括一定强度的等离子共振对应能带的吸收。由于有着非常窄的能带隙，缺陷氧化钨纳米材料已经成为一种具有开发潜力的 n型半导体光催化材料，如水氧化、光催化分解水、二氧化碳还原和光降解污染物等。

 因为其特殊的晶体结构，使缺陷氧化钨纳米材料具有一些独特的性能，如导电率的提高、光致变色和近红外吸收等。可以将其应用到变色窗、光催化剂、超级电容器和气体传感器等领域。对缺陷氧化钨纳米材料进行了探索研究，报道了在不使用表面活性剂或者聚合物为稳定剂的情况下，用简单的一步溶剂热方法合成了表面干净的超薄缺陷氧化钨纳米线。测试了缺陷氧化钨纳米线在可见光条件下，光催化二氧化碳还原反应的催化效果。在没有贵金属作为助催化剂的条件下，缺陷氧化钨纳米线表现出了较高的催化活性。研究结果表明，因为氧空位为还原反应提供了大量的还原位点使二氧化碳转化为甲烷分子。同时氧空位的存在可以产生“陷阱”效应，牢牢“抓紧”二氧化碳分子，从而增强对二氧化碳分子的吸附。首次成功合成具有一定形貌的低价态非化学计量的缺陷氧化钨纳米材料，这种非化学计量的缺陷氧化钨纳米材料具有一定的还原能力，利用低价态的缺陷氧化钨弱的还原能力与贵金属盐溶液通过原位还原的反应，直接将贵金属颗粒沉积在缺陷氧化钨纳米材料表面。

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