目前，纳米半导体材料作为光催化剂，用于光解水已得到了比较好的效果，TiO₂由于具有较高的催化活性和稳定性，是研究较多的一种光催化材料，但是TiO2禁带宽度大(~3.2 eV)，只能被波长较短的紫外光激发，其光转化效率很低(~4%) 。三氧化钨( WO₃) 是一种间接带隙跃迁的半导体材料，与TiO₂相比较，WO₃的禁带宽度较窄( 2.5~3.0 eV)，相应的吸收波长为410~500 nm，在可见光区具有良好的光电响应性能。

氧化钨薄膜电极的制备方法如下：

原料：FTO（F-doped tin oxide导电玻璃）玻璃；钨酸；双氧水；丙酮。
（1）选用干净的FTO玻璃，作为滴涂法沉积WO₃的基底。将FTO玻璃切成1.2cm*2.5cm的小块进行超声清洗和紫外光照的清洗。因为FTO基底的干净平整情况对电极薄膜的附着力和均一性能等会有比较大的影响。所以在沉积WO₃薄膜之前，要对FTO基底进行严格的清洁。先用乙醇清洗FTO表面的脏物等。接下来将基底放入丙酮中超声 30min，除去表面残留的油污和乙醇，后再将其放入清水中超声 20min，除去表面残存的丙酮。最后用高纯氮气吹干。将清洗得干净的基底玻璃片放入紫外箱进行紫外消毒，备用。
（2）称取 0.02g 钨酸，用 20ml 30%的双氧水溶解，静置 12h 得无色透明的钨酸溶液，作为沉积WO3的电解质溶液。
（3）使用（1）中洁净的基底作为工作电极，用移液枪量取 30 微升钨酸溶液，均匀滴涂在 FTO 导电玻璃表面，室温下干燥，最终得到无色的薄膜。
（4）将（3）中沉积的薄膜放入管式炉中，在 500℃空气气氛下灼烧 2h，得无色 WO₃电极。

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随着放射性医学、科研和核技术应用的不断发展，各种辐射射线被广泛应用于农业、工业、医疗、食品安全等领域。辐射是以电磁波和粒子（如α粒子、β粒子等）的形式从辐射源向所有方向发散。根据其能量的高低及电离物质的能力，可将其分类为电离辐射和非电离辐射。电离辐射具有足够的能量，可以电离原子或分子，而非电离辐射则不能电离物质。电离辐射主要有α、β及γ射线三种。辐射对人体具有危害性。人体长期暴露于辐射下，人体细胞就会被大面积杀伤或杀死。

辐射还是造成儿童白血病的原因之一，且其能诱发人体癌细胞增殖，影响人的生殖系统、视觉系统和心血管系统，导致儿童智力残缺。因此，采取措施进行辐射屏蔽是有必要的。辐射屏蔽的原理是在辐射源和人体之间设置屏蔽材料，使得辐射和屏蔽材料之间发生相互作用，从而减少辐射粒子数及降低辐射的能量。一般来说，辐射屏蔽材料有非金属和有机材料、金属、混凝土三类，其中金属屏蔽材料有铅、钨合金屏蔽件等。

铅最早用于屏蔽件材料，但在长期使用过程中暴露出一些问题。铅本身和其化合物对人体各组织均有毒性，其蒸气或粉尘可经由呼吸道吸入或经消化道吸收，进入血循环而发生中毒。而钨合金无毒无害，不会释放有毒物质，既不会危害人体健康，也不会污染环境。且与铅相比，钨合金屏蔽件具有更出色的辐射屏蔽性能，能有效屏蔽和吸收辐射。在辐射源和人体之间设置钨合金屏蔽件，可以有效减弱辐射的强度，避免辐射对人体造成伤害。

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