TB型晶体材料的分子设计近年来取得了许多新进展．主要体现在：充填A位置应用到了新的元素；充填B位置元素的多样化以及掺杂改性。

 

表1列出了Foster等通过分子设计开发的部分新晶体。从中可以发现，TB型晶体材料的开发，A位置传统上主要引用Ba、Sr、Pb，K等元素来充填，近年出现了引用La、Ce等稀土元素来充填的新动向。稀土元素的TB型晶体材料的国内报道不多．但国外已经有较为系统的研究；B位置传统只设一种阳离子占据．近年来，通过在该位置引入低价阳离子，使得A位置可引入更多的阳离子来平衡电价，扩大了A位置分子设计的余地，同时也有利于得到结构稳定的TB晶体。

 

对TB型晶体材料进行微量掺杂，可以有针对地改善其性能，提高晶体的生长质量。表2给出了SBN、KNSBN在掺杂后性能的变化。

 

值得一提的是，TB型晶体材料的应用研究进展较快。SBN、PBN等经典的TB型晶体材料，其陶瓷材料和薄膜材料的制备、性能研究活跃；同国外相比，国内B位置采用W元素的TB型晶体材料研究较少。磷酸盐的TB结构薄膜由于具有良好的超导应用前景，已经引起极大的重视，但国内此方面的研究显得薄弱。