许多钨青铜结构的铌酸盐晶体具有优良的电光及非线性光学性质，因而在全息存贮、耦合放大和光学相位共轭、光学信息处理领域有着广泛的用途。同时又由于钨青铜结构铌酸盐晶体内存在三种类型的结构空位A、B和C，容易引入其它离子，可以通过分子设计和掺杂来改变或提高晶体材料的各种性能，所以，近年来有关这类晶体材料的研究越来越受到重视。然而，人们在致力改善晶体生长性能的同时，对钨青铜结构晶体中阳离子的占位、价态以及阳离子的配位数等方面的研究进行得却较少，但这些问题在晶体的生长及性能研究中往往是一些很重要的因索。目前，国内外学者，对于钨青铜结构晶体内部结构空位及晶体结构通式的表示，阳离子配位数的多少等仍存在着一定分歧，其中有些表达方式不确切，甚至有误。所以对这些问题加以研究探讨无疑是很有意义的。

 

钨青铜结构可分为两类：四方钨青铜结构和六方钨青铜结构。通常所说钨青铜结构主要指四方钨青铜结构；钨青铜型的锯酸盐晶体结构这里主要参照文献。图1为钨青铜晶体结构在(001)面上的投影，虚线表示一般四方晶系单胞的大小。其结构是由铌氧八面体作共顶点连接为“骨架 而堆积起来，且形成三种不同空睐：三元(C)、四元(A2)及五元环(AI)(这些均为三方柱形、四方柱形及五角柱形空隙的简称)。铌氧八面体又因所处位置的对称性不同而有B1,B2两种。一般四方晶系的单胞，它包括四个A1位置，两个A2位置，四个C位置，两个Bl位置，八个B2位置，以及30个氧原子。所以其结构填充公式可写为(A1)₄(A2)₂(C)₄

(B1)₂(B2)₈O₃₀ 或 (A1)₄(A2)₂(C4)B₁₀O₃₀。