钨青铜(TB)型晶体材料，由于具有良好的光学效应、电学性能以及变晶相界等独特性质。广泛应用于激光倍频、电光调制、光学信息处理、超导、湿度传感器、固体燃料电池等技术领域。TB型晶体材料的分子设计，是在对其结构认识的基础上，进行原予层次的设计、探索和合成该结构的目标晶体材料。近年来，此领域取得了不少新成果。成为该型晶体材料研究开发和性能改善的有效手段。

 

TB型晶体中四方钨青铜(TTB)晶体较为多见(许多斜方TB结构是TTB结构的超结构)，应用广泛。所以通常所说的TB型晶体主要是指TTB晶体。其结构沿C轴的投影如图所示。B-O八面体共角顶联接形成的五角形、四角形和三角形孔隙。分别称为A1、A2和C位置。图中粗实线划出的是一个单位晶胞，其中：孔隙数目比倒为A1：A2：C=4：2：4，即共有10个A位置；另有10个B位置和30个O^2-。B位置根据对称型的不同可分为2个B1位置(晶胞边线中点)和8个B2位置(晶胞内部)。C轴平移周期为一个B-O八面体高度。结构中：A2与O^2-的配位数可为9、10、11、15，A2、C、B与O2-的配位效分别为12、9和6。

 

因此，TB结构的通式为(A1)₁(A 2)₂C₄(B1)₂(B2)₈O₃₀。当6个A1、A2位置未全部为阳离子充填且C位置全空时，称为未充满型结构；当6个A1、A2位置全部为阳离子充填而C位置全空时，称为充满型结构；当6个A1、A2位置与4个C位置均为阳离子充填时、称为完全充满型结构。